1) edge dislocation
刃状位错
2) edge dislocation
刃位错
1.
Combining MAEAM with MD simulation method,both the relaxed structure and strain energy of an a[100] edge dislocation in metal Mo have been simulated systematically in atomic scales.
把MAEAM与MD模拟方法相结合,以Mo为例从原子尺度对bcc金属中的a【100】刃位错的弛豫结构和应变能进行了计算机模拟。
2.
The interfacial energy of γ/ α interphase boundaries in the undeformde austenite and deformed austenite, the envir onment sensitive embedding energies (E ESE) of C, N and microalloyin g elements Nb , Ti or V (in the form of air mass) in the area of edge dislocation in austenite wer.
通过计算机编程建立奥氏体相中 12 [110 ]刃位错、奥氏体相中非形变区和形变区奥氏体 铁素体相界模型 。
3.
The atomic structure model of 1/2 edge dislocation in ferrite phase of steel or iron was set up with computation programmed.
通过计算机编程建立了钢铁中铁素体相中的1/2[1 1 1]刃位错的原子结构模型,用实空间的连分数方法计算了碳、氮及合金元素在完整晶体及位错区引起的总结构能和环境敏感镶嵌能,讨论了碳、氮及合金元素在位错区的偏聚及交互作用。
3) edge dislocation
刃型位错
1.
A method of object-oriented computer simulation for the motion pictures and the stress field of edge dislocation;
一种基于面向对象模拟刃型位错运动图象及应力场的方法
2.
Atomistic simulation of the relaxed structure and energy of edge dislocation in metal Ta;
金属Ta中刃型位错弛豫结构和能量的原子级模拟
3.
Computer simulation for the stress field of edge dislocation;
刃型位错应力场分量的计算机模拟
4) circular edge dislocation
圆刃型位错
1.
It is shown that the mode indices and weight factors of superposed LG modes, as well as the reference choice, affect the position where the circular edge dislocation takes place, and result in the vortex disappearance or the appearance .
研究表明,叠加LG模式的模指数,权重因子和参考点位置的选择都会影响圆刃型位错出现的位置,使得涡旋消失或出现多个相干涡旋。
5) positive edge dislocation
正刃型位错
6) edge-dislocation dipole
刃型位错偶极子
1.
Molecular dynamics simulations(MD) are used to investigate dynamic process of an edge-dislocation dipole in gliding face(011) with Burgers vector b=± in bcc single-crystal iron.
用分子动力学方法模拟了bcc单晶铁中滑移面为(011)晶面、柏氏矢量b-=±[100]的刃型位错偶极子吸引至湮灭的动力学过程。
补充资料：位错增殖
位错增殖
disloeation multiPlieation
位错增殖disloeation multiplieation晶体中的位错在一定形式的运动中，自身不断产生新的位错环或大幅度增加位错线长度，从而使材料中的位错数目或位错密度在运动中不断增大的过程。能使位错增殖发生的特殊位错组态或构型称为位错源。位错源的形式有许多种。以弗兰克一里德源为例:设位错D在其滑移面上有两个不易动的钉扎点，在应力作用下它可能经历由图a至图e的过程，而产生出一个位错环，自身又回到图a的状态，如此循环不已，每周产生出一个新的位错环，实现位错增殖。使这种位错源启动的临界应力依赖于此源的长度(即钉扎点之间的距离)及此位错的线张力。 一、.厂一一、、‘一、d〔几e奋毛1(三 运动过程中的弗兰克里德源 位错增殖机制的设想很好地解释了单晶体塑性形变中滑移带的出现，即在一个晶面上进行大量滑移的实验事实。用红外光技术曾在硅中用铜缀饰，清晰地观察到弗兰克一里德组态的美丽图样。 位错增殖机制还有许多，例如双交滑移机制、极轴机制，以及巴丁一赫林攀移机制，蜷线位错增殖机制等，分别在位错滑移、晶体孪生、材料相变以及位错攀移中起作用。(杨顺华)
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参考词条