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1)  phase boundary potential
相界电位
2)  facet phases
边界相位
1.
Using rates equations and couple wave equations,we present the threshold analysis of DFB diodes on random facet phases,with multimode differences,we discuss the influence on the diodes as well.
应用速率方程及耦合波方程对半导体DFB激光器的边界相位对器件的阈值特性影响进行了分析,并就各模式之间的差异讨论了其对器件的影响。
3)  Boundary potentials
边界电位
4)  demarcation potential
划界电位
5)  potential boundry
电位间界
6)  interface potential
界面电位
1.
Measurement of interface potential at the interface region is a significant avenue to study the interface phenomena.
界面电位检测是实现界面现象研究的重要途径,开发高效的界面电位检测技术具有重要意义。
补充资料:相界
      由结构不同或结构相同而点阵参数不同的两块晶体相交接而形成的界面。沉淀相与基体间、外延层与衬底间、马氏体与母相间的界面均为相界。其中,两晶相间无一定位相关系者称非共格相界;两晶相同保持一定位相关系,且沿界面有相同或相近原子排列者,称共格或准共格相界。C.S.史密斯曾经对非共格相界的能量进行过估计,结果表明其量级不大于大角度晶界。
  
  由于相界与晶体完整性、相变过程以及其他许多性质间存在密切关系,尤其是准共格相界在外延生长及马氏体相变中的实际重要性,人们对相界的结构进行了深入研究,F.C.夫兰克等用一简化模型进行理论处理,结果表明:当界面处两晶相的错配度甚小时,以纯弹性应变的方式容纳错配;当错配度较大时,则需引入相应的错配位错行列或网络以弛豫错配引起的大部分弹性畸变,形成错配位错界面。模型所预期的结果不仅为皂泡筏模型(见图)的观测结果所证实,而且由此模型出发对一些实际问题计算所得的结果,也已为近年来的电子显微镜直接观测结果所进一步确证。此外,人们还利用这一理论结果,人为地控制减小错配度,在控制错配位错的分布或消除错配位错方面取得了初步成功。
  
  

参考书目
   J.M.Matthews,Misfit Dislocations,F.R.N.Nabarro,ed.,Dislocations in Solids, Vo1.2,North-Holland,Amsterdam,1979.
  

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