1) N-P-N transistor
NPN型晶体管
2) silicon npn mesa transistor
硅NPN台面型晶体管
3) domestic npn transistors
国产npn晶体管
1.
High-and low-dose-rate radiation response of domestic npn transistors with three kinds of emitter areas were investigated in this article.
主要研究了三种发射极面积的国产npn晶体管在高低剂量率下的辐射损伤特性,分析了发射极尺寸对辐射损伤的影响。
5) N-P-N two junction transistor
NPN双结晶体管;n-p-n双结晶体管
6) NPN transistor
NPN管
1.
2 V,and IGSS= 10-12-10-11 A,and NPN transistor with β =100-250,BVCEO ≥ 36 V,and Va ≥ 100 V were realized.
2 V、IGSS=10-12~10-11A的高性能PJFET和β=100~250、BVCEO≥36 V、Va≥100 V的NPN管。
补充资料：[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式：C16H16ClN3O3S
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条