1) electrodynamicbridge
电动式电桥
2) H bridged driver
桥式驱动电路
4) bridge type driving power supply
桥式驱动电源
5) bridge circuit
桥式电路
1.
Through the analysis of the shape of the bridge circuit component KBU and the characteristics and difficulties of the encapsulating process,the structure of the mould for encapsuˉlating KBU is introduced.
通过分析桥式电路元件KBU的外部形状及封装工艺特点和难点 ,介绍了KBU塑封模的结构、设计要点和模具的工作过程。
2.
Using a bridge circuit to detect the horizontal displacement, describing the curve of the height horizontal displacement in the welding torch moving by micro computer, mirrorring the live circumstances of operator.
该系统利用线阵ＣＣＤ确定焊枪距离焊口的高度，利用桥式电路确定焊枪水平方向移动的位置，实时描绘出焊枪在移动过程中高度随水平位置变化的曲线，模拟出焊接操作的实时情况。
6) bridge type circuit
桥式电路
1.
In the traditional system of photovoltaic inverter are generally used the bridge type circuit.
针对桥式电路中存在的直通问题、续流二极管的性能差所带来的功率损耗问题,提出一种双BUCK结构的逆变电路,利用定频滞环电流控制的方法,控制功率开关管的关断。
补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路
高压功率MOSFET门极驱动电路
high voltage power MOSFET gate driver
gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。 对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。 驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。 驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。 绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条