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1)  transistor demodulator
晶体管解调
2)  transistor demodulator
晶体管解调器
3)  transistor tuning
晶体管调整
1.
In comparison with the traditional methodologies, this method realizes the circuit performance optimization in addition to decreasing the complexity and difficulty of transistor tuning on a chip and meanwhile maintains the design convergence and iterations.
并在对目标电路进行晶体管调整的过程中,将连线延时及窜扰延时的变化考虑在内,从而获得连线延时与单元延时之间的平衡优化解决方案。
4)  silicon voltage-regulative transistor
硅调压晶体管
5)  transistor modulator
晶体管调制器
6)  transistor regulator
晶体管调节器
补充资料:场效应晶体管
场效应晶体管
field effect transistor 

   利用场效应原理工作的晶体管。英文简称FET。场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小,以控制半导体导电层(沟道)中多数载流子的密度或类型。它是由电压调制沟道中的电流,其工作电流是由半导体中的多数载流子输运。这类只有一种极性载流子参加导电的晶体管又称单极型晶体管。与双极型晶体管相比,场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声小、极限频率高、功耗小,制造工艺简单、温度特性好等特点,广泛应用于各种放大电路、数字电路和微波电路等。以硅材料为基础的金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)和以砷化镓材料为基础的肖特基势垒栅场效应管(MESFET)是两种最重要的场效应晶体管,分别为MOS大规模集成电路和MES超高速集成电路的基础器件。
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