1) zone melting recrystallization
区域熔化再结晶
2) zone melt recrystallization,ZMR
区域熔融再结晶
3) zone melting recrystallization
区熔再结晶
1.
ZMR (zone melting recrystallization) apparatus is introduced, and the processing characteristic of ZMR is studied.
研究了区熔再结晶 (ZMR)设备及其工艺特点 。
4) F_v6Ti HeO,Euayaw,Lyc
区域再结晶
5) zone recrystallization method,zone recrystallization process
区熔再结晶法<冶>
6) Melting and recrystalliztion
熔融再结晶
补充资料：区域熔化
分子式：
CAS号：
性质：又称区域熔融[炼]。是提纯物质的一种方法。利用杂质在材料中的固相和液相中溶解度的差别，控制杂质在其中的含量，使材料被提纯。将棒状材料的一端加热熔化，形成一狭窄的熔区。移动加热器，使熔区缓慢地向另一端推近。原已熔化的部分又凝固。通过多次这样的区域熔化和再凝固，可以使大部分杂质集中在棒的某一端，而棒的其余部分可达极高的纯度。通过此法可使锗中杂质含量降至十亿分之一（10-9），可使硅中杂质降至万亿分之一（10-12），为半导体工业提供高纯锗和硅。此法也可以用来在纯物质中均匀地注入严格控制量的杂质（如把铟注入锗中）。
CAS号：
性质：又称区域熔融[炼]。是提纯物质的一种方法。利用杂质在材料中的固相和液相中溶解度的差别，控制杂质在其中的含量，使材料被提纯。将棒状材料的一端加热熔化，形成一狭窄的熔区。移动加热器，使熔区缓慢地向另一端推近。原已熔化的部分又凝固。通过多次这样的区域熔化和再凝固，可以使大部分杂质集中在棒的某一端，而棒的其余部分可达极高的纯度。通过此法可使锗中杂质含量降至十亿分之一（10-9），可使硅中杂质降至万亿分之一（10-12），为半导体工业提供高纯锗和硅。此法也可以用来在纯物质中均匀地注入严格控制量的杂质（如把铟注入锗中）。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条