1) vertical transistor
纵向晶体管
2) vertical complementary transistor
纵向互补晶体管
3) bilateral transistor
双向晶体管
4) transistor,lateral
横向晶体管
5) longitudinal crystal field
纵向晶场
1.
Within the framework of the effective field theory (EFT) and cutting approximation, critical properties of spin-1 transverse random crystal field Ising model and biaxial Ising model with both longitudinal crystal field and transverse crystal field are investigated.
改变纵向晶场,基态出现简并。
6) reversely switched dynistor
反向开关晶体管
1.
In order to produce and control high repetitive pulses of pulse width at μs,ns and power beyond MW,a new structure of great power and super high speed semiconductor switch reversely switched dynistor(RSD) applied to laser diode (LD) pulsed source was researched.
研究了一种应用于激光驱动源的大功率超高速半导体开关反向开关晶体管(RSD)的新结构,以实现μs、ns脉宽、MW以上的高重复率脉冲的产生和控制。
补充资料：纵向
分子式：
CAS号：
性质：随意规定或选择的方向，例如：(1)试样的较长方向；（2)机加工方向，即在制造过程中，材料在机器内或机器上成型和移动的方向；(3)已知某一指定性能较强的试样方向；(4)任意选定的方向，特别为期望在测量平面内所测性能均匀时，所任意选定的方向。由于有些塑料材料如薄膜、板材，增强的板材等，其物理力学性能是各向异性的。因此，在制测试样条时，需标明是纵向还是横向，以确定各向的性能。
CAS号：
性质：随意规定或选择的方向，例如：(1)试样的较长方向；（2)机加工方向，即在制造过程中，材料在机器内或机器上成型和移动的方向；(3)已知某一指定性能较强的试样方向；(4)任意选定的方向，特别为期望在测量平面内所测性能均匀时，所任意选定的方向。由于有些塑料材料如薄膜、板材，增强的板材等，其物理力学性能是各向异性的。因此，在制测试样条时，需标明是纵向还是横向，以确定各向的性能。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条