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1)  up integration
提高集成度
2)  high integration
高集成度
1.
Ultra low power and high integration are the features of MSP430P325 mixed signal microcontroller, application of which stands out the excellence of temperatue instruments such as low power, simple structure and reliable performance.
MSP43 0P3 2 5微处理器具有超低功耗、高集成度等优点 ,充分应用其优点使得测温仪功耗低 ,结构简单 ,性能可靠 ,是构建便携式测温仪的理想选择。
3)  High-integration
高度集成
4)  High-integrated
高集成度住宅
5)  high degree integrated chips
高集成度芯片
6)  high density integrated circuit
高密度集成电路
补充资料:高性能金属-氧化物-半导体集成电路
      器件和电路连线的尺寸按某种规律缩小,其他有关参数随着相应变化,以达到高性能(速度快、功耗低、集成密度高)指标的硅栅NMOS电路技术,简称HMOS。
  
  
  按比例缩小原则  表中数值为MOS器件尺寸和电压等参数缩小K分之一、衬底浓度增大K倍以后,电路性能提高的情况:速度提高K倍、功耗降至1/K2、功耗-延迟乘积降至1/K3。MOS电路尺寸的微细化,对提高超大规模集成电路的性能有很大的作用。此表是按照缩小前后MOS晶体管沟道区电场不变的原则推算出来的(通常称为恒定电场按比例缩小原则)。在实际电路中,希望电源电压保持不变,因此出现了恒压按比例缩小原则。这时所得到的性能改进,比表中所列数值差一些。实际HMOS技术规范并非严格按照某种比例原则制定的,而是要兼顾微细化加工水平、电源电压兼容性、各种次噪效应的抑制、电路的可靠性和成品率等多种因素。
  
  微细化 MOS电路的次级效应  MOS 器件的尺寸缩小到一定程度后,会出现一系列的次级效应。①短沟道效应:沟道过短时,开启电压随漏源电压的升高和沟道长度的减小而降低。②窄沟道效应:沟道太窄时,开启电压随沟道宽度的减小而升高。③源、漏穿通:沟道过短并加上一定的V时,源结和漏结耗尽区会碰在一起,从而引起 MOS晶体管源、漏间的穿通。④漏电压对源势垒的调制效应:在源、漏穿通之前,因结耗尽区的靠近,漏电压会使源结的势垒降低,从而增大亚阈值电流,使MOS晶体管失去良好的开关性能。⑤热电子效应:沟道长度缩短到一定程度后,沟道区内的电场变得很强,使电子温度升高。一部分热电子将有可能注入栅介质层并陷落在氧化层的陷阱中,引起开启电压的漂移,从而使长期工作不尽可靠。
  

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