1) ultratrace impurity
超痕量杂质
2) Trace impurities
痕量杂质
1.
Determination of trace impurities in In_2O_3-SnO_2(ITO) ultrafine composite pow der by ICP-AES;
ICP-AES法测定氧化铟-氧化锡(ITO)超细复合粉末中的痕量杂质
2.
A method for the determination of trace impurities in high purity gallium by inductively coupled plasma mass spectrometry (ICP MS) was developed.
采用电感耦合等离子体质谱 (ICP MS)测定高纯镓中痕量杂质元素 ,以Rh作为内标补偿校正镓基体的抑制效应 ,采用异丙醚萃取分离镓与ICP MS技术联用 ,拓展分析方法应用范围 ,可满足99 9999%～ 99。
3.
Objective: To establish a micellar electrokinetic chromatography (MEKC) method with the online sweeping technique to determine trace impurities in nateglinide.
目的:利用胶束电动毛细管色谱在线推扫富集技术建立测定那格列奈原料中痕量杂质的方法。
3) trace impurity
痕量杂质
1.
A standard addition method is used to determinate the five trace impurity elements through ICP-OES and effects of various conditions are tested.
建立了一种电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)测定钛白粉中痕量杂质铁、钴、镍、铜和锰的方法。
2.
In this work,an on -line sweeping technique for the determination of trace impurity in nateglinide by using SDS buffer solu tion was developed.
利用在线推扫富集技术建立了毛细管电色谱测定新药那格列奈中痕量杂质的方法。
3.
A method was developed for the determination of trace impurity affecting ultraviolet transmittance in ethylene glycol.
建立了测定乙二醇中影响紫外透光率的痕量杂质的方法。
4) impurity elements
痕量杂质
1.
ICP-MS was utilized to determine the impurity elements including Li、Be、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Co、Cu、Ga、Sr、Y、Zr、In、Sb、Ba、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Bi.
5%,该法适用于高纯石墨中痕量杂质元素的测定。
2.
The method of determination of 35 trace impurity elements in high purity graphite was established.
该方法适用于高纯石墨中痕量杂质含量的测定。
5) Trace impurity yttrium
痕量杂质钇
6) trace impurity
微(痕)量杂质
补充资料：超痕量分析
分子式：
CAS号：
性质：分析化学中对试样待测物质浓度低于10-6，即<1μg/g时，各种分析方法的测定限。
CAS号：
性质：分析化学中对试样待测物质浓度低于10-6，即<1μg/g时，各种分析方法的测定限。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条