2) semiconductor radiation detectors
半导体辐射探测器
1.
This paper describes the method of simulation charge-sensitive preamplifier with orCAD software,the design of charge-signal sources of semiconductor radiation detectors expressed by a simulation design example.
叙述了使用orCAD软件仿真电荷灵敏前置放大器的方法,半导体辐射探测器的电荷仿真信号源的设计,讲述了一个仿真设计实例。
3) Semiconductor nuclear radiation detector
半导体核辐射探测器
4) superconducting bolometer
超导测辐射热器
6) Semiconductor Integrated Radiation Sensor
半导体集成辐射传感器
1.
In this paper, a new design of radiation sensor——The Semiconductor Integrated Radiation Sensor, is Presented and a systematic analysis of its basic principles was given.
本文首次提出一种新型辐射传感器——半导体集成辐射传感器,并对它的基本原理作了系统的分折和研究。
补充资料：穿越辐射探测器
利用穿越辐射效应制成的高能粒子探测器。穿越辐射探测器是由产生穿越辐射的辐射体、记录穿越辐射的计数器和其他电子学仪器共同组成。辐射体的厚度必须远大于形成区的大小。通常，使用原子序数小的材料作为辐射体，如锂箔、镀铝的聚酯薄膜与铍片等。穿越辐射光子产额较少，因此，需要使用多个薄片作为辐射体，这些薄片彼此靠近安放，形成多个界面。记录穿越辐射的计数器可以使用闪烁计数器、半导体计数器和多丝正比室等。穿越辐射探测器有两个缺点：①穿越辐射在辐射体中的自吸收；②入射带电粒子在X 射线探测器中穿过，会直接产生电离本底。也有人利用超导现象记录穿越辐射，在超导型穿越辐射探测器中，辐射体与辐射探测器合并为一体，因此，它能克服自吸收的困难，提高探测穿越辐射的灵敏度。
穿越辐射探测器能测定单个高能带电粒子的洛伦兹因子γ(103)。因此,它同磁谱仪配合，能够分辨不同种类的高能粒子；对于已知质量的高能粒子，它能定出粒子的能量，并已正式使用它来分辨电子与强子。
穿越辐射探测器是一种正在发展中的新型探测器。无论是穿越辐射探测器本身，还是它在高能物理实验中的应用，仍需要进行更多的研究。
穿越辐射探测器能测定单个高能带电粒子的洛伦兹因子γ(103)。因此,它同磁谱仪配合，能够分辨不同种类的高能粒子；对于已知质量的高能粒子，它能定出粒子的能量，并已正式使用它来分辨电子与强子。
穿越辐射探测器是一种正在发展中的新型探测器。无论是穿越辐射探测器本身，还是它在高能物理实验中的应用，仍需要进行更多的研究。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条