1) relaxed registration photolithography
不严格对准光刻
2) relaxed registration
不严格对准
3) lithography alignment
光刻对准
1.
The relation of IC manufacture process and lithography alignment are studied.
主要针对光刻对准特性,从单项工艺和工艺集成的角度,分析了影响光刻对准的各个主要因素,主要包括对准标记、工艺层、隔离技术等,提出了一些改善光刻对准效果的方法。
4) Self?aligned lithography
自对准光刻
5) lithography alignment technology
光刻对准技术
1.
The data obtained from the experiments demonstrate that the two-dimensional zero reference grating by transmission-reflection provides better contrast and distinguishing zero point capability than does the normal lithography alignment technology.
实验数据表明透反式光栅系统比一般的光刻对准技术的对比度更强,判别零位的性能更好。
6) self aligned photoresist process
自对准光刻工艺
补充资料：Alignment对准
1. 定义：利用芯片上的对准键，一般用十字键和光罩上的对准键合对为之。2. 目的：在ic的制造过程中，必须经过6~10次左右的对准、曝光来定义电路图案，对准就是要将层层图案精确地定义显像在芯片上面。3. 方法：a.人眼对准b.用光、电组合代替人眼，即机械式对准。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条