1) refractory metallization
耐熔金属化
2) multilevel silicide
耐熔金属硅化物
3) refractory metal gate
耐熔金属栅
4) refractory metal paste
耐熔金属膏
5) refractory-metal
耐熔金属的
6) RMOS Refractory Metal C Oxide C Semiconductor
耐熔金属氧化物半导体
补充资料：金属硅化物
分子式：
CAS号：
性质：金属与硅生成的化合物。常分成两大类：(1)难熔金属硅化物，指周期表IVB、VB、VIB族元素的硅化物，如钛化硅、锆化硅、钽化硅、钨化硅等；(2)贵金属和近贵金属硅化物，如硅化钯、硅化铂、硅化钴等。其共同特点是：熔点高(大都在1500℃以上)，最低共熔温度高(大都在1000℃以上)。电阻率低(约为10-7Ω·m)，硬度高。多在超大规模集成电路中使用，如用作金属栅、肖特基接触、欧姆接触等。制备方法主要是用淀积金属与硅的混合物烧结而成。淀积法主要有：蒸发、溅射、电镀、化学气相淀积等。
CAS号：
性质：金属与硅生成的化合物。常分成两大类：(1)难熔金属硅化物，指周期表IVB、VB、VIB族元素的硅化物，如钛化硅、锆化硅、钽化硅、钨化硅等；(2)贵金属和近贵金属硅化物，如硅化钯、硅化铂、硅化钴等。其共同特点是：熔点高(大都在1500℃以上)，最低共熔温度高(大都在1000℃以上)。电阻率低(约为10-7Ω·m)，硬度高。多在超大规模集成电路中使用，如用作金属栅、肖特基接触、欧姆接触等。制备方法主要是用淀积金属与硅的混合物烧结而成。淀积法主要有：蒸发、溅射、电镀、化学气相淀积等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条