1) planar oxidation
平面氧化
2) planox
['pleinɔks]
平面氧化的
3) oxide masked planar transistor
氧化物掩膜平面晶体管
4) metal-oxide planar transistor
金属-氧化物平面晶体管
5) Copper oxide plane layer
铜氧平面层
6) surface oxidization
表面氧化
1.
The surface oxidization behaviors of Ce-5La(at%) alloy in dry air at 200 ℃ was investigated.
研究了Ce-5La(原子百分数)合金在200℃、干燥空气中的表面氧化反应行为。
2.
This paper macrographically analyzed the surface oxidization and the thichness of oxidized layer of 4004 alloy which successively undergo different temperature and different holding time during 350～525 ℃ according to the hot rolling bolding processes of 4004/3003/4004.
模拟４００４／３００３／４００４热轧复合工艺，对４００４合金在３５０～５２５℃分别加热保温所制备的试样表面氧化情况、氧化层厚度进行了宏观分析。
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条