1) p well mask
p 阱形成掩膜
2) p well diffusion
p 阱形成扩散
3) P-well
P阱
1.
Effects of the thickness of gate oxide and SOI layer, implant dosages of the drift region and P-well, and the field-plate length on C_ gd are also discussed.
借助软件,模拟并研究了SOILDMOS栅漏电容Cgd与栅源电压Vgs和漏源电压Vds的关系;研究了栅氧化层厚度,漂移区注入剂量,P阱注入剂量,SOI厚度,场板长度等五个结构工艺参数对Cgd的影响;提出了减小SOILDMOS栅漏电容Cgd的各参数调节方法。
5) Co-P thin film
Co-P薄膜
1.
A study on magnetic properties and application of electroless Co-P thin films;
化学镀Co-P薄膜的磁性及研究
6) p-CuSCN
p-CuSCN薄膜
1.
Preparation of p-CuSCN Thin Film by Electrochemical Deposition in Aqueous Solution;
用电化学沉积法,以水作溶剂,在ITO透明导电玻璃上制得p-CuSCN薄膜。
补充资料：单量子阱(见量子阱)
单量子阱(见量子阱)
single quantum well
单且子阱sillgle quantum well见量子阱。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条