补充资料：集成电路制造

集成电路制造
integrated circuit manufacturing

　　集·347·集等)以及有如钠、铜和铁离子都会沉积在硅片上导致器件性能的退化和失效。因此，采用超纯度的电子级水和化学试剂是集成电路制造的最基本要求之一。室温下，集成电路制造用的去离子水的电阻率应高于或等于18x106n·cnl。 集成电路的制造一般需要经过电路设计，工艺模拟，版图设计，单晶硅衬底片的选用，工艺集成，中间监测，划片、装架、封装，老化筛选，成品率统计和可靠性鉴定等工序。制造集成电路的组织体系如图1所示。 集成注人逻辑(IZL)器件因其超高速逻辑运算能力，N沟道金属一氧化物一半导体图1制造集成电路的组织体系(NM(粥)器件因其高密度、低功耗特性，而被广泛用于计算机工业中。在各种存储器芯片中，以随机存取存储器(RAM)芯片的元器件密度最高。这是因为在RAM芯片中，矩阵中任何一位的信息都能独立存取。每一列存储位可利用扩散区、多晶硅条或金属的导电字线存取。类似的矩阵位中，行位则可用位线来存取。只读存储器(ROM)的数据是永久保存的，旧的信息不能清除，新的信息不能输人。静态RAM能长久地保留数据，除非电路的电源突然中断。动态RAM为保持存储的信息，则要求存储在每个存储单元中的电荷数据周期性地“再生”。图2所示的是一种基本的单管动态存储单元。其中图(a)为电路图，图(b)为由4块光刻掩模版(扩散区版、多晶硅版、孔版和铝引线版)组成的单元版图，图(c)为图(b)的A一A剖面。扩散区(源和漏区)形成位线，扩散区也是存取晶体管的源极。寻址晶体管通过铝字线被选通，存储信号(1或0)通过扩散位线被读写。 A 现代集成电路制造是个极复杂、极精密的过程。尽管一套给定的流程包含的工艺步骤可以多达百余道，但是，只要工艺控制严格，重复性好，成品率高，因为每批有上百片硅片，每片硅片上又有成百上千个、飞另I芯片一起同时加工，其生产的成本还是相当低的。 集成电路制造工艺在集成电路制造中，电路设计、工艺模拟和版图设计是制造前的准备阶段。它们关系到最终完成的集成电路能否按设计要求完成指定的功能，还关系到产品的成品率的高低。集成电路制造可以分成以下几个过程。 单晶硅和硅片的制备单晶硅和硅片的制备是集成电路制造前期工序之一。

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