1) nmos technology
nmos 工艺
2) High-voltage Nmos
高压nMOS
3) stacked-NMOS
层叠式NMOS
1.
The substrate-triggered stacked-NMOS device that combines the substrate-triggered technique into the stacked-NMOS device is investigated.
将衬底触发技术融合到层叠式NMOS器件中来产生衬底触发层叠式NMOS器件,理论分析结果表明衬底触发技术可以提高混合电压I/O电路中层叠式NMOS器件的ESD稳健性,基于0。
4) NMOS structure
NMOS结构
1.
This paper compares the performance of NMOS structure-based VCO design with that of the complementary VCO design by ADS simulation.
采用ADS仿真分析的方法,对多标准兼容的宽带压控振荡器中广泛采用的NMOS结构和互补结构的性能差异进行了比较,分析了采用一种改进型的开关电容阵列后对多标准兼容的宽带压控振荡器的性能的提高。
2.
This paper mainly introduces some methods of implementation in NMOS structure digital simulation.
本文重点介绍实现NMOS结构数字仿真的一些方
5) NMOS reference
NMOS基准
6) NMOS device
NMOS器件
补充资料：NMO
分子式：C5H11NO2
分子量：117.15
CAS号：7529-22-8
性质：熔点180-184°C。
分子量：117.15
CAS号：7529-22-8
性质：熔点180-184°C。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条