1) nitride masking
氮化硅掩蔽
3) silicon dioxide masking
二氧化硅掩蔽
5) unsharping making
反锐化掩蔽
6) masking compound
掩蔽化合物
补充资料:氮化硅
化学式Si3N4。白色粉状晶体;熔点1900℃,密度3.44克/厘米3(20℃);有两种变体:α型为六方密堆积结构;β型为似晶石结构。氮化硅有杂质或过量硅时呈灰色。
氮化硅与水几乎不发生作用;在浓强酸溶液中缓慢水解生成铵盐和二氧化硅;易溶于氢氟酸,与稀酸不起作用。浓强碱溶液能缓慢腐蚀氮化硅,熔融的强碱能很快使氮化硅转变为硅酸盐和氨。氮化硅在 600℃以上能使过渡金属(见过渡元素)氧化物、氧化铅、氧化锌和二氧化锡等还原,并放出氧化氮和二氧化氮。1285℃ 时氮化硅与二氮化三钙Ca3N2发生以下反应:
Ca3N2+Si3N4─→3CaSiN2
氮化硅的制法有以下几种:在1300~1400℃时将粉状硅与氮气反应;在1500℃时将纯硅与氨作用;在含少量氢气的氮气中灼烧二氧化硅和碳的混合物;将SiCl4的氨解产物Si(NH2)4完全热分解。氮化硅可用作催化剂载体、耐高温材料、涂层和磨料等。
氮化硅与水几乎不发生作用;在浓强酸溶液中缓慢水解生成铵盐和二氧化硅;易溶于氢氟酸,与稀酸不起作用。浓强碱溶液能缓慢腐蚀氮化硅,熔融的强碱能很快使氮化硅转变为硅酸盐和氨。氮化硅在 600℃以上能使过渡金属(见过渡元素)氧化物、氧化铅、氧化锌和二氧化锡等还原,并放出氧化氮和二氧化氮。1285℃ 时氮化硅与二氮化三钙Ca3N2发生以下反应:
Ca3N2+Si3N4─→3CaSiN2
氮化硅的制法有以下几种:在1300~1400℃时将粉状硅与氮气反应;在1500℃时将纯硅与氨作用;在含少量氢气的氮气中灼烧二氧化硅和碳的混合物;将SiCl4的氨解产物Si(NH2)4完全热分解。氮化硅可用作催化剂载体、耐高温材料、涂层和磨料等。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条