窄禁带,low energy gap,音标,读音,翻译,英文例句,英语词典

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1) low energy gap 点击朗读

窄禁带

2) bandgap narrowing 点击朗读

禁带变窄

The bandgap narrowing is distributed between the conduction and valence bands,according to the Jain-Roulston model,and its effects on the currents of abrupt AlGaAs/GaAs HBTs including the self-heating effect,are analyzed.

基于禁带变窄量在导带和价带之间的分布比例与掺杂浓度相关的Jain-Roulston模型,研究了重掺杂能带结构的变化对突变异质结HBT电流影响。

3) narrow gap region 点击朗读

窄禁带区

4) bandgap narrowing 点击朗读

禁带变窄量

An empirical method is proposed for determining the total bandgap narrowing in the base of a SiGe HBT,which is a function of temperature,impurity concentration and germanium fraction.

分析并计算了不同温度、掺杂浓度以及不同材料的禁带变窄量 ,与实验数据进行了对比 ,两者符合得很好。

The apparent bandgap narrowing in bipolar transistors with ion implanted and epitaxial Si 0.

采用一种新的方法计算双极器件中离子注 B硅基区和原位掺 B的锗硅基区禁带变窄量。

5) small gap materia 点击朗读

窄禁带材料

6) narrow gap semiconductor 点击朗读

窄禁带半导体

例句>>

补充资料：窄禁带半导体

　　按照固体的能带理论，半导体的价带与导带之间有一个禁带。在禁带较窄的半导体中，有一些物理现象表现得最为明显，最便于研究，因此把窄禁带半导体作为半导体的单独一类。但"窄"的界限并不严格，一般把禁带小于载流子室温热能(k T)的十倍，即小于0.26eV的半导体通称为窄禁带半导体。硫化铅 (PbS)的禁带大于此数,但由于它的性质类似于硒化铅(PbSe,0.165eV,4K)、碲化铅(PbTe, 0.190eV,4K)等，因而也把它归入窄禁带半导体类。
　　
　　20世纪40年代开始研究窄禁带半导体 PbS，1952年H.韦尔克发现InSb，它是典型的窄禁带半导体，1957年E.O.凯恩的理论阐明了InSb类型的窄禁带半导体的能带结构。1959年起开始研究以HgTe和CdTe为基础的赝二元素中的窄禁带半导体，其中包括禁带宽度为零的半导体。以上发展与红外探测器的发展密切相关。除Hg_1-xCd_xTe系之外，近年来又发展了一系列赝二元系的窄禁带半导体,也都包括零禁带半导体，如Hg_1-xCd_xSe，Mn_xHg_1-xTe，Pb_1-xSn_xTe和Pb_1-xSn_xSe等。
　　
　　由于禁带窄,导带与价带的相互影响就比较严重,以致导带的电子能量E与波矢k的关系不再能用抛物线型来近似，而是比抛物线陡得多的曲线。又由于禁带窄，寻常温度下热激发的电子浓度高，费密能级很容易进入导带,必须用费密-狄喇克统计来处理电子输运过程。随着费密能级的升高,反映前述的E(k)的非抛物线型性质,电子的有效质量、不是常数而是逐渐增大。对于闪锌矿结构的半导体(如InSb，Hg_1-xCd_xTe 等)导带底的电子有效质量近似与禁带宽度 E_g成正比。E_g愈小，也愈小,同时有效g因子g *也愈大。对于各种磁量子现象、与自旋有关的色散现象，这类半导体是最好的研究对象。
　　

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参考词条

超窄钢带

禁带变窄效应窄带禁带宽带窄带禁带带宽 Q195窄带钢

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	您的位置：首页 -> 词典 -> 窄禁带 1) low energy gap 窄禁带例句>> 2) bandgap narrowing 禁带变窄 1. The bandgap narrowing is distributed between the conduction and valence bands,according to the Jain-Roulston model,and its effects on the currents of abrupt AlGaAs/GaAs HBTs including the self-heating effect,are analyzed. 基于禁带变窄量在导带和价带之间的分布比例与掺杂浓度相关的Jain-Roulston模型,研究了重掺杂能带结构的变化对突变异质结HBT电流影响。 3) narrow gap region 窄禁带区 4) bandgap narrowing 禁带变窄量 1. An empirical method is proposed for determining the total bandgap narrowing in the base of a SiGe HBT,which is a function of temperature,impurity concentration and germanium fraction. 分析并计算了不同温度、掺杂浓度以及不同材料的禁带变窄量 ,与实验数据进行了对比 ,两者符合得很好。 2. The apparent bandgap narrowing in bipolar transistors with ion implanted and epitaxial Si 0. 采用一种新的方法计算双极器件中离子注 B硅基区和原位掺 B的锗硅基区禁带变窄量。 5) small gap materia 窄禁带材料 6) narrow gap semiconductor 窄禁带半导体例句>> 补充资料：窄禁带半导体　　按照固体的能带理论，半导体的价带与导带之间有一个禁带。在禁带较窄的半导体中，有一些物理现象表现得最为明显，最便于研究，因此把窄禁带半导体作为半导体的单独一类。但"窄"的界限并不严格，一般把禁带小于载流子室温热能(k T)的十倍，即小于0.26eV的半导体通称为窄禁带半导体。硫化铅 (PbS)的禁带大于此数,但由于它的性质类似于硒化铅(PbSe,0.165eV,4K)、碲化铅(PbTe, 0.190eV,4K)等，因而也把它归入窄禁带半导体类。　　　　20世纪40年代开始研究窄禁带半导体 PbS，1952年H.韦尔克发现InSb，它是典型的窄禁带半导体，1957年E.O.凯恩的理论阐明了InSb类型的窄禁带半导体的能带结构。1959年起开始研究以HgTe和CdTe为基础的赝二元素中的窄禁带半导体，其中包括禁带宽度为零的半导体。以上发展与红外探测器的发展密切相关。除Hg_1-xCd_xTe系之外，近年来又发展了一系列赝二元系的窄禁带半导体,也都包括零禁带半导体，如Hg_1-xCd_xSe，Mn_xHg_1-xTe，Pb_1-xSn_xTe和Pb_1-xSn_xSe等。　　　　由于禁带窄,导带与价带的相互影响就比较严重,以致导带的电子能量E与波矢k的关系不再能用抛物线型来近似，而是比抛物线陡得多的曲线。又由于禁带窄，寻常温度下热激发的电子浓度高，费密能级很容易进入导带,必须用费密-狄喇克统计来处理电子输运过程。随着费密能级的升高,反映前述的E(k)的非抛物线型性质,电子的有效质量、不是常数而是逐渐增大。对于闪锌矿结构的半导体(如InSb，Hg_1-xCd_xTe 等)导带底的电子有效质量近似与禁带宽度 E_g成正比。E_g愈小，也愈小,同时有效g因子g 也愈大。对于各种磁量子现象、与自旋有关的色散现象，这类半导体是最好的研究对象。　　说明：*补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。参考词条超窄钢带

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