1) laser induced deposition
激光诱发淀积
2) laser evaporation and deposition
激光蒸发与淀积
3) laser deposition
激光淀积
1.
Since a high temperature superconducting thin film was first prepared by Bell Labs using pulsed laser in 1987, the technique of pulsed laser deposition has been developed rapidly.
自 1 98 7年贝尔实验室首次用脉冲准分子激光制备出高温超导薄膜以来 ,脉冲激光淀积技术已得到了蓬勃发展 ,现在已成为最好的薄膜制备技术之一 。
4) pulsed laser deposition
脉冲激光淀积
1.
1)O thin films were fabricated on Si substrates by pulsed laser deposition.
利用脉冲激光淀积的方法在Si衬底上生长出了c轴高度取向的ZnO和Zn_(0。
2.
Highly c-axis oriented ZnO thin films were fabricated on Si(111) substrates at different substrate temperatures by pulsed laser deposition .
在不同的衬底温度下,通过脉冲激光淀积的方法在Si衬底上生长出c轴高度取向的ZnO薄膜。
3.
Pb 0 72 La 0 28 TiO 3(PLT28) thin films have been prepared on Pt/Ti/SiO 2/Si substrates by pulsed laser deposition under various oxygen pressure.
利用脉冲激光淀积法在Pt Ti SiO2 Si衬底上制备了 2 8mol%La掺杂钛酸铅薄膜 。
5) laser beam scanning ablation
激光扫描淀积
6) pulsed excimer laser deposition
脉冲激光淀积
1.
80)Ti_3O_(12)) were successfully grown on p-SiO_2 substrates by pulsed excimer laser deposition.
用脉冲激光淀积法成功地在p-S i底片上制备了高c轴取向的B i3。
2.
80Ti3O12 (BNT) were successfully grown on p-SiO2 substrates by pulsed excimer laser deposition.
用脉冲激光淀积方法在p-Si基片上制备了高c轴取向的Bi4–xRxTi3O12(BNT)铁电薄膜,研究了掺钕量x对薄膜铁电性能的影响,结果表明,当x=0。
补充资料：化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积是一种气体反应过程。在这个过程中，由某些选定气体的热诱导分解在衬底上形成某种介质层。在硅平面器件及集成电路中最常用的是淀积SiO2，Si3N4和多晶硅。化学气相淀积也广泛用于半导体单晶薄膜的外延生长，特别是多层膜的外延生长。在光电子器件和微波器件的制作中尤其常用。CVD方法视工作时反应室中气体压强不同分为常压、低压和超低压CVD。根据化学反应能量提供方式不同可分为热分解、光加热、射频加热、热丝、光、等离子体增强和微波等离子体增强CVD。按反应气源不同又分为卤化物、氢化物和金属有机化合物CVD（MOCVD）。
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参考词条