1) enhancement mode operation
增强型动作
2) END
[英][end] [美][ɛnd]
增强型网络驱动
1.
The design of END for S3C2410A platform on VxWorks
基于ARM9的VxWorks增强型网络驱动设计
2.
Realization theory of END in VxWorks Operating System and its architecture are analyzed.
VxWorks下增强型网络驱动是一个链路层驱动程序,它通过MUX层函数与网络协议层进行通信。
3.
VxWorks provide multiplexer(MUX) layer interface to achieve the development of enhanced networks driver(END).
网络驱动的开发是基于VxWorks的嵌入式应用的重要组成部分;VxWorks提供了多路复用层(MUX)接口来实现增强型网络驱动(END)的开发,具有协议无关性特点,可使开发人员专注于驱动程序的开发而无需考虑上层协议的内容,利用这种方法对RTL8139网卡的END开发进行了研究;首先阐述了END的数据结构和接口函数,然后着重分析了BSP中相关文件的配置,最后对驱动的加载启动过程及数据包的存储收发过程作了介绍;对于VxWorks下基于MUX机制的其它网卡驱动的开发具有参考价值。
3) enhancement
[英][in'hɑ:nsmənt] [美][in'hænsmənt]
增强作用
1.
Based upon the experimental results obtained from cube crushing strength test of 30 blocks and bending strength test of 30 short beams,the effects of the steel fiber volume ratio on the strength enhancement of concrete,the relationship between load and flexibility and that between load and limiting strain of SFRC are studied.
通过对30个立方体试块抗压强度试验,分析了钢纤维对普通混凝土的增强作用;通过对30个小梁试件三分点加载抗折试验,研究了体积率对钢纤维混凝土(SFRC)荷载-挠度关系及荷载-极限应变关系的影响。
2.
A review is presented on the enhancement of gas liquid mass transfer.
系统介绍了分散第二液相对气液传质的增强作用 ,提出了增强因子和铺展系数的概念 ,叙述和讨论了传质增强机理及模型的最新进展 ,并针对该领域的研究现状提出了一些展望。
4) reinforcing effect
增强作用
1.
A method of calculating the reinforcing effect to the concrete of the special steel fibre is discussed.
着重讨论了直线形、梯形和超梯形钢纤维对混凝土增强作用的计算，并列出３种钢纤维对混凝土增强作用的统一公式，以此分析纤维对基体增强作用的各种影响因素，并对不同纤维形状的钢纤维混凝土增强作用作分析比较。
5) strengthening effect
增强作用
1.
It is shown that silica fume and natural zeolite powder have the strengthening effect but no dispersing effect on the cement paste,that phosphorous slag (PS) powder and GBFS superfine powder have filling effect,dispersing effect and strengthening effect.
通过对硅粉、天然沸石粉、矿渣超细粉、磷渣超细粉及其复合超细粉等对水泥浆体的流动性及强度影响的研究，发现硅粉、天然沸石粉对水泥浆体起填充增强作用，无分散作用；但磷渣与矿渣超细粉对水泥浆体起填充作用、分散作用与增强作用。
6) cooperation enforcement
协作增强
补充资料：增强型与耗尽型金属-氧化物-半导体集成电路
耗尽型MOS晶体管用作负载管，增强型MOS晶体管用作驱动管组成反相器（图1），并以这种反相器作为基本单元而构成各种集成电路。这种集成电路简称E/D MOS。
特点 E/D MOS电路的速度快，电压摆幅大,集成密度高。MOS反相器的每级门延迟取决于负载电容的充电和放电速度。在负载电容一定的条件下，充电电流的大小是决定反相器延迟的关键因素。各种MOS反相器的负载特性见图2。在E/D MOS反相器中，作为负载的耗尽型管一般工作在共栅源（栅与源相连,其电压uGS＝0）状态。把耗尽型MOS晶体管的输出特性IDS～VDS曲线，沿纵轴翻转180o,取出其中uGS＝0的曲线,即可得到E/D MOS反相器的负载（图2）。E/D MOS反相器具有接近于理想恒流源的负载特性。与E/E MOS反相器(负载管和驱动管都用增强型MOS晶体管的)相比,同样尺寸的理想E/D MOS电路，可以获得更高的工作速度,其门延迟(tpd)可减少至十几分之一。由于耗尽型管存在衬偏调制效应,E/D MOS反相器的负载特性变差,tpd的实际改进只有1/5～1/8。此外，由于E/DMOS反相器输出电压uo没有阈电压损失，最高输出电压uo可达到电源电压UDD=5伏(图1)。因此，比饱和负载E/E MOS反相器的电压摆幅大。另一方面,由于E/D MOS反相器的负载特性较好，为了达到同样的门延迟,E/D MOS反相器的负载管可以选用较小的宽长比,从而占用较少的面积;为了得到相同的低电平,E/D MOS反相器的βR值也比E/E MOS反相器的βR值小些。与E/E MOS电路相比，E/D MOS电路的集成密度约可提高一倍。
结构与工艺 只有合理的版图设计和采用先进的工艺技术,才能真正实现E/D MOS电路的优点。图3是E/D MOS反相器的剖面示意图。E/DMOS电路的基本工艺与 NMOS电路类同（见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）。其中耗尽管的初始沟道，是通过砷或磷的离子注入而形成的。为了使负载管的栅与源短接，在生长多晶硅之前，需要进行一次"埋孔"光刻。先进的 E/D MOS的结构和工艺有以下特点。①准等平面：引用氮化硅层实现选择性氧化，降低了场氧化层的台阶；②N沟道器件:电子迁移率约为空穴迁移率的三倍,因而N沟道器件有利于提高导电因子；③硅栅自对准：用多晶硅作栅，可多一层布线。结合自对准，可使栅、源和栅、漏寄生电容大大减小。
采用准等平面、 N沟道硅栅自对准技术制作的 E/D MOS电路，已达到tpd≈4纳秒，功耗Pd≈1毫瓦,集成密度约为300门／毫米2。E/D MOS电路和CMOS电路是MOS大规模集成电路中比较好的电路形式。CMOS电路（见互补金属-氧化物-半导体集成电路）比E/D MOS电路的功耗约低两个数量级,而E/D MOS电路的集成密度却比CMOS电路约高一倍,其工艺也比CMOS电路简单。E/D MOS电路和CMOS电路技术相结合，是超大规模集成电路技术发展的主要方向。
特点 E/D MOS电路的速度快，电压摆幅大,集成密度高。MOS反相器的每级门延迟取决于负载电容的充电和放电速度。在负载电容一定的条件下，充电电流的大小是决定反相器延迟的关键因素。各种MOS反相器的负载特性见图2。在E/D MOS反相器中，作为负载的耗尽型管一般工作在共栅源（栅与源相连,其电压uGS＝0）状态。把耗尽型MOS晶体管的输出特性IDS～VDS曲线，沿纵轴翻转180o,取出其中uGS＝0的曲线,即可得到E/D MOS反相器的负载（图2）。E/D MOS反相器具有接近于理想恒流源的负载特性。与E/E MOS反相器(负载管和驱动管都用增强型MOS晶体管的)相比,同样尺寸的理想E/D MOS电路，可以获得更高的工作速度,其门延迟(tpd)可减少至十几分之一。由于耗尽型管存在衬偏调制效应,E/D MOS反相器的负载特性变差,tpd的实际改进只有1/5～1/8。此外，由于E/DMOS反相器输出电压uo没有阈电压损失，最高输出电压uo可达到电源电压UDD=5伏(图1)。因此，比饱和负载E/E MOS反相器的电压摆幅大。另一方面,由于E/D MOS反相器的负载特性较好，为了达到同样的门延迟,E/D MOS反相器的负载管可以选用较小的宽长比,从而占用较少的面积;为了得到相同的低电平,E/D MOS反相器的βR值也比E/E MOS反相器的βR值小些。与E/E MOS电路相比，E/D MOS电路的集成密度约可提高一倍。
结构与工艺 只有合理的版图设计和采用先进的工艺技术,才能真正实现E/D MOS电路的优点。图3是E/D MOS反相器的剖面示意图。E/DMOS电路的基本工艺与 NMOS电路类同（见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）。其中耗尽管的初始沟道，是通过砷或磷的离子注入而形成的。为了使负载管的栅与源短接，在生长多晶硅之前，需要进行一次"埋孔"光刻。先进的 E/D MOS的结构和工艺有以下特点。①准等平面：引用氮化硅层实现选择性氧化，降低了场氧化层的台阶；②N沟道器件:电子迁移率约为空穴迁移率的三倍,因而N沟道器件有利于提高导电因子；③硅栅自对准：用多晶硅作栅，可多一层布线。结合自对准，可使栅、源和栅、漏寄生电容大大减小。
采用准等平面、 N沟道硅栅自对准技术制作的 E/D MOS电路，已达到tpd≈4纳秒，功耗Pd≈1毫瓦,集成密度约为300门／毫米2。E/D MOS电路和CMOS电路是MOS大规模集成电路中比较好的电路形式。CMOS电路（见互补金属-氧化物-半导体集成电路）比E/D MOS电路的功耗约低两个数量级,而E/D MOS电路的集成密度却比CMOS电路约高一倍,其工艺也比CMOS电路简单。E/D MOS电路和CMOS电路技术相结合，是超大规模集成电路技术发展的主要方向。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条