1) drain and source diffusion
源 漏扩散
2) source/drain Lightly doped diffused structure
源漏轻掺杂扩散结构
3) source/drain extension region
源/漏扩展区
4) source and drain extension
源漏扩展区
1.
Polysilicon doped heavily is introduced as solid phase diffusion source to realize ultra shallow source and drain extensions.
1μm栅线条 ,重掺杂多晶硅做固相扩散源实现 CMOS晶体管超浅源漏扩展区 ,并且将二者有机结合起来 ,成功实现了栅长约为 84 。
5) point sources diffusion
点源扩散
6) multiple-source diffusion
多源扩散
补充资料：掺杂型结构导电高分子
分子式：
CAS号：
性质：结构型导电高分子是指高分子本身具有导电结构，不需借助外加导电性材料的聚合物，多为线性共轭聚合物和某些高分子金属络合物。这些聚合物经过掺杂处理之后形成电荷转移络合物，掺杂后其电导率可以大幅度提高，一般可以提高几个数量级，甚至可以接近常见金属导体的电导率，如聚乙炔和聚吡咯经化学或者电化学掺杂处理后，其电导率可以达到102S/cm以上，在某些场合可以替代金属材料。其特点和应用参见本征型导电高分子。
CAS号：
性质：结构型导电高分子是指高分子本身具有导电结构，不需借助外加导电性材料的聚合物，多为线性共轭聚合物和某些高分子金属络合物。这些聚合物经过掺杂处理之后形成电荷转移络合物，掺杂后其电导率可以大幅度提高，一般可以提高几个数量级，甚至可以接近常见金属导体的电导率，如聚乙炔和聚吡咯经化学或者电化学掺杂处理后，其电导率可以达到102S/cm以上，在某些场合可以替代金属材料。其特点和应用参见本征型导电高分子。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条