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1)  crystal form
晶体形式
2)  crystal morphology
晶体形态
1.
Compatibility and crystal morphology of cocoa butter substitutes and cocoa butter
代可可脂与可可脂相容性及晶体形态研究
2.
In this paper, we restudy the hsianghualite morphology, based on the fact that the right and left forms appear on hsianghualite morphology,it is realized that the right and left forms can not combine each other on a single crystal morphology but can compose a twin.
这对深入认识晶体形态及晶体对称理论、澄清长期以来人们并没有足够重视的一些基本概念有重要意义。
3.
In this paper,we discussed some classical and basic concepts of crystal morphology(positive and negative forms,right and left forms,general and special forms).
本文对晶体学中关于晶体形态一些古老的基本概念(单形的正形与负形、左形与右形、一般形与特殊形)进行了深入思考,并从实际晶体形态上发育这些单形的角度,分析了它们的本质区别与内在含义:单形的正形与负形是属于同一几何单形、同一对称型(点群)的两个结晶单形,它们可以相聚;单形的左形与右形也是属于同一几何单形、同一对称型(点群)的两个结晶单形,但它们却具有不同的内部结构,所以它们不能够相聚;单形的一般形与特殊形只有结晶单形意义,无几何单形意义。
3)  crystal morphology
晶体形貌
1.
Characteristics of crystal morphology for Alite and belite in Portland Cement Clinker;
硅酸盐水泥熟料中A矿和B矿的晶体形貌特征
2.
Effect of critic acid on crystalline habit and crystal morphology of dihydrate;
柠檬酸对二水石膏晶体生长习性与晶体形貌的影响
3.
Effects of vacuum micro-evaporation Ti coating on crystal morphology and properties of diamond;
真空微蒸发镀钛对金刚石晶体形貌及性能的影响
4)  morphology [英][mɔ:'fɔlədʒi]  [美][mɔr'fɑlədʒɪ]
晶体形貌
1.
The influences of the processing temperature and pressure on the morphology of ZnO are investigated.
考察了不同的温度和压力处理条件对ZnO晶体形貌和微粒尺寸的影响。
2.
XRD and SEM analysis showed that the reaction temperature had great effect on the morphology of precipitate.
MgSO4的初始浓度和Na2CO3滴加速率对三水碳酸镁晶体形貌有明显的影响。
5)  crystalline morphology
晶体形貌
6)  morphology [英][mɔ:'fɔlədʒi]  [美][mɔr'fɑlədʒɪ]
晶体形态
1.
The(influence) of different mineralizer on the morphology of ZnO crystal synthesized by hydrothermal method have been got.
研究了在350℃,填充度为35%时,分别以不同浓度的NaOH和KOH为矿化剂,合成具有不同晶体形态的氧化锌晶体。
补充资料:晶体管-晶体管逻辑电路
晶体管-晶体管逻辑电路
transistor-transistor logic
    集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路(DTL)中的二极管,改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功,基本门电路的结构和元件参数,经历了3次大的改进。同DTL电路相比,TTL电路速度显著提高,功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品,就使开关速度比DTL电路提高5~10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路,开关时间可缩短到3~5纳秒。绝大部分双极型集成电路,都是TTL电路产品。
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参考词条