1) charge recombination center
截流复合中心
2) recombination center
复合中心
1.
It is obtained that the main factor influencing the decay of photoelectrons evolves from electron traps to the combination of electron traps and recombination centers, and then to recombination centers.
针对卤化银感光材料潜影形成过程中光作用动力学问题,分析了曝光强度对光生载流子行为和电子陷阱效应的影响,认为伴随着曝光强度的增加,影响光电子衰减的因素由电子陷阱起主要作用演化到电子陷阱和复合中心共同起作用进而演化到复合中心起主要作用。
2.
According to the theory of one-level recombination center, a simple analysis of the relations between the trap recombination center and the level position is given.
利用单一能级复合中心理论，分析了杂质和缺陷作为陷阱和复合中心与能级位置的依赖关系。
3) stream cross section center
流动截面中心
4) central composite design
中心复合法
1.
Optimization of medium composition and inducing pH of porcine insulin precursor fermentation by recombinant Pichia pastoris using of central composite design;
在此基础上,经过快速登高法逼近显著因子的最优值后,再在此值附近利用中心复合法设计实验,最终得到了PIP表达的最佳条件。
6) core of the section
截面中心
补充资料：复合中心（recombinationcenter）
复合中心（recombinationcenter）
半导体中某些杂质和缺陷可以促进载流子复合，对非平衡载流子寿命的长短起决定性作用，这些杂质和缺陷称为复合中心。作为复合中心的杂质与缺陷一般在禁带中引入一个或几个深能级，它们既可以俘获电子又能俘获空穴，从而促进了复合过程。对载流子复合有促进作用的杂质很多，例如硅和锗中的Au，Cu，Fe，Ni，Zn以及许多其他重金属杂质都有明显的复合作用。金是一种有效的复合中心，在半导体器件中，经常引入金以降低注入载流子寿命，提高器件的开关速度。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条