1) channel injection
沟道注入
2) channel charge injection
沟道电荷注入
3) back channel implantation
背栅沟道注入
1.
Partially-depleted silicon-on-insulator(PDSOI)floating-body(FB)nMOSFETs and H-gate type body-contacted(BC)nMOSFETs are fabricated with different back channel implantation dosages.
分别采用不同的背栅沟道注入剂量制成了部分耗尽绝缘体上硅浮体和H型栅体接触n型沟道器件。
4) Channeled ion-beam synthesis
沟道离子注入
5) implanted channel
离子注入沟道
6) Injection
[英][ɪn'dʒekʃn] [美][ɪn'dʒɛkʃən]
喷射注射注频射入轨道
补充资料：电荷注入检测器
分子式：
CAS号：
性质：一种光学多道检测器。和电荷耦合检测器一样，也是一种电荷转移器件。但它的灵敏度比电荷耦合检测器高一个数量级，更适合于弱光的检测，在紫外区仍有良好的量子效率。
CAS号：
性质：一种光学多道检测器。和电荷耦合检测器一样，也是一种电荷转移器件。但它的灵敏度比电荷耦合检测器高一个数量级，更适合于弱光的检测，在紫外区仍有良好的量子效率。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条