1) base insert
隐埋基极
3) sbc technique
标准隐埋集电极技术
4) buried-channel
隐埋沟道
1.
The I-V characteristics for SiC buried-channel MOSFETs based on an average mobility model is presented.
提出了一种SiC隐埋沟道MOSFET平均迁移率模型,并在此基础上对器件I-V特性进行了研究。
2.
The effects of several factors on mobility in 4H-SiC buried-channel (BC) MOSFETs are studied.
研究了几种因素对4H-SiC隐埋沟道MOSFET沟道迁移率的影响。
5) recessed channel
隐埋槽
6) buried layer
隐埋层
补充资料:隐名埋姓
1.同"隐姓埋名"。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条