1) resistivity survey
电阻率甸
2) InSb magnetosensitive resistance
锑化甸磁敏电阻
3) resistivity
[英][,ri:zis'tiviti] [美][,rizɪs'tɪvətɪ]
电阻率
1.
Soft magnetic properties and microwave permeability of multilayer nanogranular films with high resistivity;
高电阻率多层纳米颗粒膜软磁特性及微波磁导率
2.
Estimation of bulk diffusion coefficients in nearshore sandy sediments by resistivity method;
应用电阻率法确定浅水砂质沉积物中的扩散系数
3.
The general physics experiment: making and measurement of the resistivity of transparent electrode film;
透明电极薄膜的制备及其电阻率测量普通物理实验
4) electrical resistivity
电阻率
1.
Anomalous change of electrical resistivity in liquid InSn49.1 and InSn70 alloys near the melting point;
液态InSn49.1和InSn70合金熔点附近电阻率的反常变化
2.
New method for testing contaminated soil——electrical resistivity method;
一种检测污染土的新方法——电阻率法
3.
High temperature electrical resistivity of TiB_2 cathode coating;
TiB_2复合阴极涂层的高温电阻率
5) apparent resistivity
视电阻率
1.
Measurement of apparent resistivity value for coal slices of different seam structures;
不同煤体结构类型煤分层视电阻率值的测试
2.
1-D Simulation on model apparent resistivity curve of CSAMT method in certain mine;
某煤矿典型CSAMT法视电阻率曲线的一维模拟
3.
Definition of whole zone apparent resistivity for transient electromagnetic method of current dipole source;
利用连分式定义瞬变电磁法全区视电阻率研究
6) low-resistivity
低电阻率
1.
Comprehensive mud logging interpretation and evaluation for low-resistivity pay zones;
G898井沙三段低电阻率油层录井综合解释评价
2.
The oil-gas reservoirs with low-resistivity of Turpan-Hami basin distribute mainly in western Taibei sag.
吐哈盆地低电率阻油气层主要分布在台北凹陷西部,形成低电阻率油气层的主要原因有高矿化度地层水、微孔隙发育、高泥质含量、低幅度构造所造成的低含油饱和度等因素。
3.
Based on the analysis of geologic features of low-resistivity hydrocarbon reservoir and formation mechanism,referred to t.
该文以吐哈盆地台北西部的低电阻率油气层为例,从低电阻率油层的成因分析出发,在系统总结低电阻率油藏地质特征、形成机理的基础上,详细研究了低电阻率油气层地质录井、测井资料响应特征,并结合地震资料探索出一套能有效识别低电阻率油层的综合方法,对今后该类油气层的解释评价起到一定的借鉴作用。
补充资料：磁敏电阻材料
磁敏电阻材料
magneto sensitive resistance materials
电子迁移率分别为5.6一6.sm“/(V·s)和2.。一2.5m州(V·s)。Insb的禁带宽度小，受温度影响大。GaAs的禁带宽度大，电子迁移率也相当大助.802/(V·s)〕，受温度影响小，且灵敏度也高。镍钻合金和镍铁合金的电阻温度系数小，性能稳定，灵敏度高，且具有方向性，可制作强磁性磁阻器件，用于磁阻的检测等方面。用半导体材料制作的磁敏电阻器、无触点电位器、模拟运算器和磁传感器等应用于测量、计算机、无线电和自动控制等方面。半导体Insb一NISb磁敏电阻器用于磁场、电流、位移和功率测量及模拟运算器等方面，其阻值为10n一1 kn，相对灵敏度6一18(B一IT)，温度系数一2.9%一。.09%(1/℃)(B一IT)，极限工作频率l~10MH:。在测量小于0.olT的弱磁场时，必须附加以偏置磁场才能进行。Ni一C。薄膜磁敏电阻器主要用子探测磁场方向、磁带位置检测、测量和控制转速或速度以及无触点开关等方面。阻值有L10、250k几，相对灵敏度2%以上(3 XIO一“T下)，温度系数3DOO士500火10一“(1/’C)，感应磁场3X10一“T以上，工作温度一55一150‘C。在检测磁场反转或可逆磁场以下的磁信号时，也应采用偏置磁场。 磁敏电阻材料的发展与半导体材料的开发密切相关。发展趋势是:开发高准确度、高灵敏度、低噪声、高稳定性和可靠性以及多功能的磁敏器件与材料;研制非金属和金属化合物半导体、固溶体半导体、共晶体和共晶薄膜磁敏材料。C Im旧dlo门2日己OJ{100磁敏电阻材料(magneto Sensitiveresistaneematerials)对磁场敏感，具有磁阻效应的电阻材料。这种材料能通过磁阻效应将磁信号转换成电信号。磁阻效应包括材料的电阻率随磁场而变化和元件电阻值随磁场而变化两种现象。前者称磁电阻率效应或物理磁阻效应，后者称为磁电阻效应或几何磁阻效应。 磁场作用在导体上的各种物理效应(霍耳效应、磁阻效应)早在1879一1883年间在金属中就发现了，但因效应不显著，长期以来未得到广泛应用。半导体出现后，在_20世纪50年代后半期开发了高迁移率的新型化合物半导体材料，如锑化锢(Insb)等，也促进了霍耳器件和磁阻器件的研究、开发和应用。 磁敏电阻材料主要是电子迁移率大的半导体材料，还有铁镍钻合金。常用的半导体有Insb(或Insb一Nisb共晶材料)、砷化锢(InAs)和碎化稼(GaAs)等材料，一般用N型。高纯度Insb和InA。的
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参考词条