1) gzhelian series
格热尔阶
2) Gshelian
格热尔阶
3) Gzhelian
格热尔阶
4) thermal capacitance
晶格热容
1.
The thermal capacitance of optical lattice vibration;
光频支格波对晶格热容的贡献
5) lattice thermal conductivity
晶格热导率
1.
The lattice thermal conductivity decreased eviden.
结果表明,随着Sm填充分数的增加,载流子浓度及电导率降低;塞贝克系数随温度的升高和Sm填充分数的增加而增大;晶格热导率随Sm填充分数的增加先减小然后再增加,在某一填充分数时达到最小值。
2.
The effects of the kinds of filling and replacement atoms and the form of filling on the lattice thermal conductivity and thermo-electric property were discussed in this paper.
系统研究了填充原子的种类、填充方式以及置换原子的种类对晶格热导率及热电性能的影响。
3.
In this paper, the effects of filling atoms with different ionic radii of Ba, Ce, Y and different substituting atoms Fe, Ni on the lattice thermal conductivity of filled R yM xCo 4-xSb 12 are systematically investigated.
系统地研究了离子半径不同的Ba,Ce ,Y作为填充原子及Fe ,Ni作为置换原子对填充化合物RyMxCo4 -xSb1 2 晶格热导率的影响规律 。
6) thermal vibration of crystal lattice
晶格热振动
7) thin gauge hot rolled strip
薄规格热轧钢板
8) lattice thermal expansion coefficients
晶格热膨胀系数
9) Granit Harper's law
格热尼特-哈伯律
10) Granit-Harperys law
格热尼特-哈伯律
补充资料：等容热容
分子式：
CAS号：
性质：系统在体积不能改变的条件下温度升高1K所需的热，符号Cv。此时系统所吸取的热完全用来增加其内能。因为等容过程中系统吸热Qv=△U，所以Cv就是系统升高1K时其内能的变化。用数学式表示，为 Cv=其中代表偏微分，下脚V表示体积不变。关于Cv与Cp关系参见等压热容。
CAS号：
性质：系统在体积不能改变的条件下温度升高1K所需的热，符号Cv。此时系统所吸取的热完全用来增加其内能。因为等容过程中系统吸热Qv=△U，所以Cv就是系统升高1K时其内能的变化。用数学式表示，为 Cv=其中代表偏微分，下脚V表示体积不变。关于Cv与Cp关系参见等压热容。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条