补充资料：二硒化镓银晶体

分子式：
CAS号：

性质：周期表第I，III，VI族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构，为复式晶格，晶格常数0.5992nm。为直接带隙半导体，室温禁带宽度2.70eV。熔点850℃。采用区域熔炼法、定向凝固法等制备。为可见光发光材料和非线性光学材料。

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