1) photosynthetic potential
光合成势
2) composite magnetic power
合成磁势
3) situation synthesization
态势合成
4) Gesture synthesis
手势合成
5) LAD
[英][læd] [美][læd]
光合势
1.
Effect of Different Cultivation Measures on LAD and LAI of Spring Wheat in Dryland;
不同栽培措施对旱作春小麦叶面积和光合势的影响
2.
The result indicated that LAI and LAD of super high-yield maizes xianyu 335 and zhengdan 958 were all higher than those of common cultivars.
结果表明:群体条件下超高产品种"先玉335"和"郑单958"的叶面积指数和光合势均高于普通品种,而且花后光合势与产量之间存在极显著的正相关(r=0。
6) Photosynthetic potential
光合势
1.
In this studied date of two maizes such as indexex of leaf area,photosynthetic potential,accumulation of dry matter,and the factor build up yield.
采用单因素随机区组试验,研究了农大108和晋单34的叶面积指数、光合势、干物质积累,以及影响产量的产量构成因素。
2.
In this study, data of four maize varieties such as indexes of leaf area, photosynthetic potential,net assimilating rate and accumulation of dry matter were com pared.
比较了晋单35、恒丰1号、农大3138和晋单34的叶面积指数、光合势、净同化率、干物质积累。
补充资料：磁标势
为简化磁场的计算，在一定条件下，引入的一个辅助物理量。
如果稳恒磁场的某个局部区域V中没有传导电流,且其中任何封闭曲线L都不能包围传导电流,以H表示区域内各点的磁场强度，ds表示面积元，即有 (1)
类似于静电场中引入电位的方法，可引入磁标势嗞m，H＝－墷嗞m。 (2)
取V中某点Po作为基准点,定义任一点P的磁标势嗞m(P)如下 (3)
式(2)中嗞m(Po)为任一常数，H的单位是安/米，嗞m的单位是安。
稳恒电流大都是在细长导线的回路中流动的。磁场则大都在没有传导电流的空间中。为了使 V中的任一封闭曲线满足式(1),可限定以电流回路为边缘的任意形状的一个曲面为不可穿越的壁障。图1、图2分别示出了长直电流和圆形电流所假想的壁障。其中长直电流的壁障是包含电流且向左延伸的无穷大平面,图1中的1与2是壁障二侧无限靠近的二点。应用安培环路定理求H的环量时,如取途径1M231不包围电流,可使式(1)满足。当取由1经M至2的途径对H积分时， 值等于长直电流的电流强度I。由式(3)得 (4)
由此得到一个普适的结论:壁障是磁标势有I突变的突变面。
容易计算出长直电流的磁标势分布。若取点1为零势，则
。
其标势只是θ的函数。θ相同的各点标势相同，构成等磁势面，且磁力张（H线）与其处处正交，如图3所示。任何磁力线总与等磁势面正交，这可由式(3)直接得出。
对于线电流回路的磁场利用磁标势法来计算是方便的。可以证明任意载流回路在空间任一点 P的磁标势为 (5)
式中I是回路中的电流,Ω是回路在P点所张的立体角,从P点看电流逆时针方向时,立体角为正。如果计算出立体角Ω，再根据式(2)即得H。
在讨论磁介质磁化或铁磁体的磁场时，因所讨论磁场范围内没有传导电流，故可用磁标势法来处理。
由磁场的高斯定理和H的定义可得H的高斯定理 (6)
其中 (7)
与静电场的高斯定理相似。这样,磁场强度H与电场强度E具有形式相同的规律，且H与E,嗞m与嗞，μo与εo,μoM与P有对应关系。据此可直接由静电势方程写出对应的磁标势方程 (8)
其中 (9)
两种磁介质分界面上满足的边界条件为 (10)
(11)
对铁磁体的磁场，若已知M，则问题归结为在给定边界条件下求解磁标势的泊松方程。对于分区均匀的各向同性线性媒质，问题归结为在给定边界条件下解磁标势的拉普拉斯方程。
如果稳恒磁场的某个局部区域V中没有传导电流,且其中任何封闭曲线L都不能包围传导电流,以H表示区域内各点的磁场强度，ds表示面积元，即有 (1)
类似于静电场中引入电位的方法，可引入磁标势嗞m，H＝－墷嗞m。 (2)
取V中某点Po作为基准点,定义任一点P的磁标势嗞m(P)如下 (3)
式(2)中嗞m(Po)为任一常数，H的单位是安/米，嗞m的单位是安。
稳恒电流大都是在细长导线的回路中流动的。磁场则大都在没有传导电流的空间中。为了使 V中的任一封闭曲线满足式(1),可限定以电流回路为边缘的任意形状的一个曲面为不可穿越的壁障。图1、图2分别示出了长直电流和圆形电流所假想的壁障。其中长直电流的壁障是包含电流且向左延伸的无穷大平面,图1中的1与2是壁障二侧无限靠近的二点。应用安培环路定理求H的环量时,如取途径1M231不包围电流,可使式(1)满足。当取由1经M至2的途径对H积分时， 值等于长直电流的电流强度I。由式(3)得 (4)
由此得到一个普适的结论:壁障是磁标势有I突变的突变面。
容易计算出长直电流的磁标势分布。若取点1为零势，则
。
其标势只是θ的函数。θ相同的各点标势相同，构成等磁势面，且磁力张（H线）与其处处正交，如图3所示。任何磁力线总与等磁势面正交，这可由式(3)直接得出。
对于线电流回路的磁场利用磁标势法来计算是方便的。可以证明任意载流回路在空间任一点 P的磁标势为 (5)
式中I是回路中的电流,Ω是回路在P点所张的立体角,从P点看电流逆时针方向时,立体角为正。如果计算出立体角Ω，再根据式(2)即得H。
在讨论磁介质磁化或铁磁体的磁场时，因所讨论磁场范围内没有传导电流，故可用磁标势法来处理。
由磁场的高斯定理和H的定义可得H的高斯定理 (6)
其中 (7)
与静电场的高斯定理相似。这样,磁场强度H与电场强度E具有形式相同的规律，且H与E,嗞m与嗞，μo与εo,μoM与P有对应关系。据此可直接由静电势方程写出对应的磁标势方程 (8)
其中 (9)
两种磁介质分界面上满足的边界条件为 (10)
(11)
对铁磁体的磁场，若已知M，则问题归结为在给定边界条件下求解磁标势的泊松方程。对于分区均匀的各向同性线性媒质，问题归结为在给定边界条件下解磁标势的拉普拉斯方程。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条