1) illuviation
淀积作用
2) illuviate
淀积作用
3) zone of illuviation
淀积作用层
4) rhythmic deposition
间歇淀积（作用）
5) pigmentation
颜料淀积作用
6) deposition
淀积
1.
3UCVD deposition SiO_2 on SiC wafer and its C-V measurement;
碳化硅基上3UCVD淀积二氧化硅及其C-V性能测试
2.
We study in this paper various deposition parameters affecting thin film properties.
等离子增强型化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）氮化硅是目前器件唯一能在合金化之后低温生长的氮化硅。
3.
The mechanism of deposition polysilicon thin film in LPCVD system is described.
叙述了采用LPCVD系统淀积多晶硅薄膜的机理 ,分析了在淀积多晶硅薄膜过程中引起发雾的因素 ,指出了保持LPCVD系统的洁净能有效消除在淀积多晶硅薄膜过程中出现的发雾现象。
7) sedimentation
淀积
8) deposit
淀积
9) pre-deposition process
预淀积
1.
The diffusion was researched through analyzing characteristics of the pre-deposition process and the drive-in process.
结合预淀积和再分布两种条件下扩散的特点,采用两步法工艺制备了高浓度硼深扩散硅片,研究了影响杂质浓度和扩散深度的再分布与预淀积时间比。
10) deposition rate
淀积速率
1.
Two important parameters in the process of laser induced plasma chemical vapor deposition film size and deposition rate are deduced with shock wave theory The influence of laser intensity,atmosphere and pedestal temperature on the deposition process is analyse
用激波理论推出了激光诱导等离子体化学气相淀积过程中两个重要参量薄膜面积、膜淀积速率的表达式。
2.
A time\|dependent model for deposition rate is presented which includes two parameters of the process: the ion beam s dwell time and its loop time.
Meyer离子与表面吸附气体相互作用模型的基础上 ,提出了聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型 。
补充资料：化学汽相淀积工艺
用气态反应原料在固态基体表面反应并淀积成固体薄层或薄膜的工艺过程，类似于汽相外延工艺（见外延生长）。60年代，随着集成电路平面技术的发展，化学汽相淀积工艺受到重视而得到迅速发展。当时主要是常压下的化学汽相淀积，称为常压化学汽相淀积工艺。70年代后期，低压化学汽相淀积工艺取得显著进展，在集成电路制造工艺中发挥了更大的作用。在应用低压化学汽相工艺的同时，等离子化学汽相淀积工艺和金属有机化学汽相淀积工艺也得到迅速发展。
化学汽相淀积工艺常用于制造导电薄膜（如多晶硅、非晶硅）或绝缘薄膜(如氧化硅、氮化硅和磷硅玻璃等)。这些薄膜经过光刻和腐蚀，可形成各种电路图案，与其他工艺相配合即可构成集成电路。常见的淀积薄膜的化学反应式如下：
SiH4─→Si(多晶硅或非晶硅)+2H2
SiH4+4N2O─→SiO2+2H2O+4N2
SiH4+2O2─→SiO2+2H2O
3SiH4+4NH3─→Si3N4+12H2
3SiH2Cl2+10NH3─→Si3N4+6NH4Cl+6H2
SiH4+2xPH3+2(2x+1)O2─→
SiO2·xP2O5(磷硅玻璃)+(3x+2)H2O
化学汽相淀积工艺还可用于其他方面，如制造超导薄膜材料铌锗合金(Nb3Ge)、光学掩模材料氧化铁、光纤芯材锗硅玻璃(SiO2·xGeO2)，以及装饰性薄膜氮化钛等。
3NbCl4+GeCl4+8H2─→Nb3Ge+16HCl
4Fe(CO)5+3O2─→2Fe2O3+20CO
与物理汽相淀积薄膜工艺（如蒸发、溅射、离子镀等）相比，化学汽相淀积具有设备简单和成本低的优点，化学汽相淀积工艺，也可用于制造体材料，例如，高纯三氯硅烷用氢还原，在加热的硅棒上不断淀积出硅，使硅棒变粗，形成棒状高纯硅锭，成为制备半导体硅单晶的原料。
常压化学汽相淀积 图1a是高频感应加热的常压化学汽相淀积装置，感应受热基座通常用石墨制成，在基座上放置片状的衬底。例如，以单晶硅片为衬底，在硅片上淀积氧化硅、氮化硅、多晶硅或磷硅玻璃等薄膜。图1b是电阻平台加热的多喷头常压化学汽相淀积装置,用硅烷、磷烷或氧为原料,以氮气释稀,在400℃左右淀积氧化硅或磷硅玻璃。连续传送装置可以提高产量并改善均匀性。
低压化学汽相淀积 图2是低压化学汽相淀积装置原理，采用管式电阻炉加热，在炉内以直立式密集装片。片的平面垂直于气流方向。由于在低压（约50帕）下工作，气体分子的平均自由程比常压下增加1000多倍以上，扩散过程加快，片与片之间的距离约几毫米。因此,每一个装片架上可以放100～200个片子,产量比常压法增加十多倍。这种工艺在半导体器件制造过程中，可淀积多种薄膜，应用很广。
等离子化学汽相淀积 利用高频电场使低压下的气体产生辉光放电，形成非平衡等离子体，其中能量较高的电子撞击反应气体分子，促使反应在较低温度下进行，淀积成薄膜（图3）。这种工艺主要用于制备集成电路或其他半导体芯片表面钝化保护层，以提高器件可靠性和稳定性。
金属有机化学汽相淀积 以金属有机化合物为原料，淀积成多层金属化合物薄层或薄膜，主要用于化合物半导体的汽相外延层生长，以制造微波和光通信器件。例如，三甲基镓和砷烷在氢气中反应，可以在砷化镓单晶衬底或氧化铝单晶衬底上形成新的砷化镓外延薄层。以三乙基锢、三乙基铝、三甲基镓、以及磷烷、砷烷为原料,可以生成GaAlAs、GaInAsP和GaInAs等多种外延材料。利用多层外延结构材料，可以制造半导体激光器等。
参考书目
Donald T.Hawkins ed.,Chemical Vapor Deposition1960～1980, IFI/Plenum Data Co.,New York,1981.
化学汽相淀积工艺常用于制造导电薄膜（如多晶硅、非晶硅）或绝缘薄膜(如氧化硅、氮化硅和磷硅玻璃等)。这些薄膜经过光刻和腐蚀，可形成各种电路图案，与其他工艺相配合即可构成集成电路。常见的淀积薄膜的化学反应式如下：
SiH4─→Si(多晶硅或非晶硅)+2H2
SiH4+4N2O─→SiO2+2H2O+4N2
SiH4+2O2─→SiO2+2H2O
3SiH4+4NH3─→Si3N4+12H2
3SiH2Cl2+10NH3─→Si3N4+6NH4Cl+6H2
SiH4+2xPH3+2(2x+1)O2─→
SiO2·xP2O5(磷硅玻璃)+(3x+2)H2O
化学汽相淀积工艺还可用于其他方面，如制造超导薄膜材料铌锗合金(Nb3Ge)、光学掩模材料氧化铁、光纤芯材锗硅玻璃(SiO2·xGeO2)，以及装饰性薄膜氮化钛等。
与物理汽相淀积薄膜工艺（如蒸发、溅射、离子镀等）相比，化学汽相淀积具有设备简单和成本低的优点，化学汽相淀积工艺，也可用于制造体材料，例如，高纯三氯硅烷用氢还原，在加热的硅棒上不断淀积出硅，使硅棒变粗，形成棒状高纯硅锭，成为制备半导体硅单晶的原料。
常压化学汽相淀积 图1a是高频感应加热的常压化学汽相淀积装置，感应受热基座通常用石墨制成，在基座上放置片状的衬底。例如，以单晶硅片为衬底，在硅片上淀积氧化硅、氮化硅、多晶硅或磷硅玻璃等薄膜。图1b是电阻平台加热的多喷头常压化学汽相淀积装置,用硅烷、磷烷或氧为原料,以氮气释稀,在400℃左右淀积氧化硅或磷硅玻璃。连续传送装置可以提高产量并改善均匀性。
低压化学汽相淀积 图2是低压化学汽相淀积装置原理，采用管式电阻炉加热，在炉内以直立式密集装片。片的平面垂直于气流方向。由于在低压（约50帕）下工作，气体分子的平均自由程比常压下增加1000多倍以上，扩散过程加快，片与片之间的距离约几毫米。因此,每一个装片架上可以放100～200个片子,产量比常压法增加十多倍。这种工艺在半导体器件制造过程中，可淀积多种薄膜，应用很广。
等离子化学汽相淀积 利用高频电场使低压下的气体产生辉光放电，形成非平衡等离子体，其中能量较高的电子撞击反应气体分子，促使反应在较低温度下进行，淀积成薄膜（图3）。这种工艺主要用于制备集成电路或其他半导体芯片表面钝化保护层，以提高器件可靠性和稳定性。
金属有机化学汽相淀积 以金属有机化合物为原料，淀积成多层金属化合物薄层或薄膜，主要用于化合物半导体的汽相外延层生长，以制造微波和光通信器件。例如，三甲基镓和砷烷在氢气中反应，可以在砷化镓单晶衬底或氧化铝单晶衬底上形成新的砷化镓外延薄层。以三乙基锢、三乙基铝、三甲基镓、以及磷烷、砷烷为原料,可以生成GaAlAs、GaInAsP和GaInAs等多种外延材料。利用多层外延结构材料，可以制造半导体激光器等。
参考书目
Donald T.Hawkins ed.,Chemical Vapor Deposition1960～1980, IFI/Plenum Data Co.,New York,1981.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条