补充资料：磁通跳跃

磁通跳跃
flux jump

c ltong tiaoyue磁通跳跃(f lux jump)在很短的时间间隔(约lms量级)内，大量磁通线突然“进入”或从其中“排出”处于临界状态的非理想第I类超导体的现象。由于磁通运动总是引起能量的损耗，因此发生磁通跳跃时将导致超导体的温度升高。导致超导体转变成正常态的磁通跳跃叫做完全磁通跳跃，反之叫做不完全磁通跳跃。引起磁通跳跃的内在原因是非理想第I类超导体内部的磁扩散率比热扩散率大得多，以及钉扎力几与洛仑兹力几随温度变化的差异:几随温度增加而减小，人不随温度改变;外因是外界环境的干扰:如电的，磁的，热的和力学的干扰。比如其温度因外界的扰动增加价，，使得人和几在临界态达到的平衡被破坏，一部分磁通线在fL的作用下脱离钉扎中心发生运动，伴随磁通线运动产生的热量又使超导体的温度增加价2，这样一个反馈过程最终将可能导致磁通跳跃。磁通跳跃是超导磁体发生退化的原因，也危害超导体的其他应用。采用敷铜工艺、复合线和低温恒温等方法来解决磁通跳跃现象对超导体的危害。

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