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1)  installed radiation
总辐射热量
2)  radiation amount
辐射总量
3)  total dose radiation
总剂量辐射
1.
Experiments show that total dose radiation effect in buried oxide of SOI(Silicon on Insulator) MOS is obviously dependent on bias condition.
实验表明SOI MOSFET掩埋氧化层中的总剂量辐射效应与辐射过程中的偏置状态有关。
2.
So, it is perhaps not effective to improve characteristics of SOI MOSFET under ultra-lager total dose radiation only by hardening buried SiO2.
在超高总剂量辐射下,界面电荷的改变对MOS器件的阈值电压影响将越来越显著,甚至会引起NMOS的阈值电压增加,即所谓的"反弹"现象[1,2]。
4)  Total dose irradiation
总剂量辐射
5)  annual radiant all quality
年辐射总量
6)  Total radiant flux
总辐射通量
1.
The concepts and structural features of the automatic value transferring apparatus for the total radiant flux of 253.
7nm辐射源总辐射通量量值自动传递装置的原理、方法、结构特点以及短波紫外线的新型反射涂料,最后给出测量结果。
补充资料:总需热量


总需热量
energy

包括基础代谢所需、食物的特殊动力作用、动作所需、生长所需、排泄所消耗的热量总和。实际应用时,主要依据年龄、体重及发育速度来估计总热量的需要。关于每公斤体重每日所需热量,初生儿第一周时约为60kcal,第二、三周时约需100kcal,第二至六个月时约需110~120kcal。一般常用的简单计算方法:1岁以内婴儿,用110kcal/kg计算,以后每3岁减去10kcal,至15岁时为60kcal左右(成人为25~30kcal)。
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参考词条