1) direct grid bias
直流栅极偏压
2) D.C. gate bias
直流栅偏压
3) grid bias voltage
栅极偏压
1.
The high quality nanocrystalline diamond (NCD) film is successfully deposited by double bias voltage nucleation and grid bias voltage growth.
在HFCVD系统中施加栅极偏压和衬底偏压,采用双偏压成核和栅极偏压生长的方法成功制备了高质量的纳米金刚石薄膜。
4) grid bias
栅极偏流
5) DC bias
直流偏压
1.
The dielectric nonlinearity of the PMN-PZN-PT relaxor ferroelectric ceramics under DC bias was investigated.
在一定温度范围内，对PMN－PZN－PT系弛豫铁电陶瓷直流偏压下的介电非线性进行了研究。
2.
The DC bias field dependence characteristics of the PMN-PZN-PT relaxor ferroelectric ceramics were investigated.
对PMN－PZN－PT系弛豫铁电陶瓷的直流偏压特性进行了研究，直流偏压使介电常数的最大值εmax下降，介电常数最大值对应的温度Tmax升高，频率色散受到压抑。
6) DC bias-voltage sputtering
直流偏压二极溅射
1.
In this work the authors discussed the fabrication of NbN thin films deposited using two methods: reactive magnetron sputtering system and DC bias-voltage sputtering system.
采用磁控溅射和直流偏压二极溅射两种方法制备了NbN薄膜。
补充资料：功率场效应晶体管栅极驱动电路
使功率场效应晶体管按信号的要求导通或截止的电路。用于控制电力电子电路中的功率场效应晶体管的通断。功率场效应晶体管是电压控制器件，只要栅极驱动电路提供合适的栅极电压，即能保证元件的可靠通断。因栅极驱动电流较小，所以驱动电路比较简单。在工作频率较低的应用场合，常用集成逻辑电路或集成模拟电路等直接驱动功率场效应晶体管。图1是用集成与非门直接驱动功率场效应晶体管的电路。当与非门输出高电平时，功率场效应晶体管导通；当与非门输出低电平时，功率场效应晶体管关断。
功率场效应晶体管能作为高速开关器件，但必须使用与其相适应的高速驱动电路。在高频应用时，要求驱动电路的输出电阻较小，以提高栅极输入电容的充放电速度；另一方面，要求驱动电路的驱动功率较大。在用同一个控制电路驱动不同电位的功率场效应晶体管的情况下，需将控制电路和功率场效应晶体管之间用光耦合器或脉冲变压器隔离。图2是光耦合器隔离的栅极驱动电路。它采用互补晶体管输出。输出阻抗小，驱动功率大。
功率场效应晶体管能作为高速开关器件，但必须使用与其相适应的高速驱动电路。在高频应用时，要求驱动电路的输出电阻较小，以提高栅极输入电容的充放电速度；另一方面，要求驱动电路的驱动功率较大。在用同一个控制电路驱动不同电位的功率场效应晶体管的情况下，需将控制电路和功率场效应晶体管之间用光耦合器或脉冲变压器隔离。图2是光耦合器隔离的栅极驱动电路。它采用互补晶体管输出。输出阻抗小，驱动功率大。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条