说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> 直穿
1)  gate; straight-overdraft,straightdraft; straightdraw; straight
直穿
2)  Puncture under direct vision
直视穿刺
3)  penetration hole diameter
穿孔直径
1.
In this paper,by experiment and numerical simulation of hypervelocity impact on thin Al-plate by Al-spheres,and it is found that AUTODYN-2D SPH is an effective method of predicting penetration hole diameter in thin Al-plates from h.
通过铝球弹丸超高速正撞击薄铝板的实验研究和数值模拟,证明了AUTODYN-2D软件数值模拟预测薄铝板超高速撞击穿孔直径的有效性。
4)  dc breakdown
直流击穿
1.
Temperaturedependent dc breakdown in BaTiO\-3based multilayer ceramic capacitors(MLCs)is studied.
研究了BaTiO3基多层陶瓷电容器(MLCs)直流击穿与温度的关系。
5)  direct tunneling
直接隧穿
1.
The direct tunneling effect in SiC Schottky contacts is simulated based on electron tunneling probabilities through a triangular barrier,which are accurately solved using the one-dimensional time-independent Schrdinger equation.
通过精确求解一维定态薛定谔方程得到电子通过三角形势垒的隧穿几率,模拟了SiC肖特基接触的直接隧穿效应。
2.
The MOSFET gate currents of high k gate dielectrics due to direct tunneling are investigated by using a new direct tunneling current model developed.
提出了包括有限势垒高度下反型层量子化效应以及多晶硅耗尽效应在内的直接隧穿电流模型 。
3.
With the aggressive scaling down of MOS,the direct tunneling current will replace FN tunneling as the main issue effecting the MOS devices reliability.
对于栅厚为 3nm的超薄栅 MOS结构的界面用高斯粗糙面进行模拟来获取界面粗糙度对直接隧穿电流的影响 ,数值模拟的结果表明 :界面粗糙度对电子的直接隧穿有较大的影响 ,且直接隧穿电流随界面的粗糙度增加而增大 ,界面粗糙度对电子的直接隧穿的影响随着外加电压的增加而减小 。
6)  Perpendicular puncture
垂直穿刺
补充资料:五月一日紫宸候对时属禁直,穿内而行,因书六
【诗文】:
朱夏五更后,步廊三里余。有人从翰苑,穿入内中书。
漏响飘银箭,灯光照玉除。禁扉犹锁钥,宫妓已妆梳。
紫府游应似,钧天梦不如。尘埃九重外,谁信在清虚。



【注释】:



【出处】:
全唐诗:卷557-26
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条