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1)  grid swing
栅压摆幅
2)  voltage swing
电压摆幅
3)  TMDS voltage swing
TMDS电压摆幅
4)  high-swing cascode current mirror
宽摆幅共源共栅电流镜
5)  wide-swing cascode architecture
宽摆幅共源共栅结构
1.
By adopting the wide-swing cascode architecture,the microstimulator can provide up to 2~4 MΩ output impedance and the output voltage swing larger than 90 percent,which enhances the microstimulator\'s bio-adaption.
通过采用宽摆幅共源共栅结构使微刺激器的输出阻抗和输出电压摆幅分别达到2~4兆欧姆和90%以上,提高了其生物环境适应性。
6)  output voltage swing
输出电压摆幅
1.
The bias circuit using a MOS transistor which always operate in linear region to bias the two transistors of the cascode stage operating at the edge of saturation to improve the output voltage swing and subsequently low down the supply voltage.
该偏置电路原理是利用一个始终工作在线性区的MOS管来使共源共栅电流镜的两个级联管均工作在饱和区边缘提高输出电压摆幅,从而降低电源电压。
补充资料:冲击波超压与动压

[解释]:  核爆炸产生的高温、高压火球膨胀,在周围介质中形成连续向外传播的压力脉冲(或冲击波),冲击波阵面传播到空间某点时,超过周围环境大器的压力称超压;空气粒子高速随波阵面运动产生的冲击压力称动压。超压和动压都以帕斯卡(Pa)为主单位。超压随时间的变化取决于爆炸威力、距爆点的距离和爆心周围的介质情况。特定地点的峰值超压一般出现在冲击波阵面到达该点的瞬间,超压在该点的持续时间称为正压作用时间。尔后,该点的压力下降到低于周围压力,称为负压,再逐渐回升到周围压力值。对人员的直接冲击伤,超压为20—29千帕可引器轻度伤;29—59千帕可导致中度伤;59—98千帕可造成重度伤;大于98千帕可造成极重度伤。动压为10—20千帕可造成中度伤;20—39千帕可造成重度伤;大于39千帕可造成极重度伤。动压的推动、抛掷和超压的挤压会造成物体变形和毁坏。
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