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1)  copper-oxide photovoltaic cell
氧化铜光(生)伏(打)电池
2)  silicon photovoltatic cell
硅光(生伏打)电池
3)  barrier-layer cel
光生伏打电池
4)  cadmium oxide photovoltaic cell
氧化镉光生伏打电地
5)  photovoltaic cell
光伏打电池
1.
Recent works in our lab are reviewed from the following aspects: Synthesis of semiconductors, study on photovoltaic cells, investigation of mechanism and fabrication of thin films.
近年来,有机半导体太阳能电池引起了科学工作者的极大兴趣,共轭聚合物/C60复合体系在光伏打电池中的应用更是成为其中一个新的研究热点。
2.
Studies on photoinduced electron transfer and recent advancements of conjugated polymer/C 60 composites in photovoltaic cells are reviewed.
本文介绍了共轭聚合物 /C6 0 复合体系的光诱导电子转移 ,以及近年来该体系在光伏打电池中的研究进
6)  selenium photovoltaic cell
硒光光生伏打电池
补充资料:光生伏打效应
      由光照引起电动势的现象。严格来讲,包括两种类型:一类是发生在均匀半导体材料内部;一类是发生在半导体的界面。虽然它们之间有一定相似的地方,但产生这两个效应的具体机制是不相同的。通常称前一类为丹倍效应,而把光生伏打效应的涵义只局限于后一类情形。
  
  半导体界面包括有:由于掺杂质不同而形成的P型区和N型区的界面,即PN结;金属和半导体接触的界面;不同半导体材料制成的异质结界面以及由金属-绝缘体-半导体组成的 MIS系统的界面。在这些界面处都存在有一个空间电荷区,其中有很强的电场,称为自建电场。光照产生的电子-空穴对,在自建电场作用下的运动,就是形成光生伏打效应的原因。下面以PN结为例进一步具体说明。
  
  在PN结交界面处N区一侧带正电荷,P区一侧带负电荷,空间电荷区中自建电场的方向自N区指向P区。由于光照可以在空间电荷区内部产生电子-空穴对,它们分别被自建电场扫向N区和P区,就如同有一个电子由P区穿过空间电荷区到达N区,形成光致电流。在空间电荷区附近一定范围内产生的电子-空穴对,只要它们能通过扩散运动到达空间电荷区,同样可以形成光致电流,光照产生的电子和空穴扩散运动所能走的距离为扩散长度。光致电流使N区和P区分别积累了负电荷和正电荷,在PN结上形成电势差,引起方向与光致电流相反的N结正向电流。当电势差增长到正向电流恰好抵消光致电流的时候,便达到稳定情况,这时的电势差称为开路电压。如果PN结两端用外电路连接起来,则有一股电流流过,在外电路负载电阻很低的情况,这股电流就等于光致电流,称为短路电流。
  
  光生伏打效应的应用之一是把太阳能直接转换成电能,称为太阳电池。目前,用硅单晶材料制造的太阳电池,已经广泛地应用于很多技术部门,特别是航天技术。但是单晶硅太阳电池造价比较高。1975年实现了非晶硅的掺杂效应以后,很多人认为利用大面积非晶硅薄膜制备太阳电池是很有希望的。此外,利用光生伏打效应制成的光电探测器件也得到广泛的应用。
  

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