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1)  anodised aluminium wires
氧化膜铝线
2)  alumina membrane
氧化铝膜
1.
The preferred orientation of alumina micrograin of the alumina membrane was studied byXRD.
利用TG-DTA、BET法分析研究了热处理过程的膜孔径分布、孔径大小及膜的比表面积、比孔容随焙烧温度的变化趋势,并用XRD研究了氧化铝膜的膜内晶体的晶面取向,用TEM、SEM观察用溶胶─凝胶法制备的氧化铝膜的表面及截面形貌。
2.
The tubular alumina membrane with most pore size of 0.
5%的两性表面活性剂卵磷脂,可有效地防止浆料中氧化铝微粒的聚集,制备了孔径基本呈正态分布的氧化铝膜管,最可几孔径为0。
3.
The affecting factors of preparation of γ-AlOOH sol through aluminum isopropoxide hydrolysis and the affecting factors of preparation of alumina membrane from the γ-AlOOH sol were studied.
本文研究了异丙醇铝在一定条件下水解制备γ-AlOOH溶胶的影响因素,探索出制备稳定、清澈γ-AlOOH溶胶的最佳条件,并研究了从γ-AlOOH溶胶制备氧化铝膜的影响因素,通过实验测出所制氧化铝膜的比表面积和孔径分布。
3)  alumina film
氧化铝膜
1.
Mechanism and factors of breakdown of anode alumina film in organic electrolyte;
阳极氧化铝膜在有机电解质中的击穿机理和影响因素
2.
Present research status about the effects of alumina film on the wetting behaviour of aluminum matrix composites has been reviewed in this paper.
本文较全面地综述了铝表面氧化铝膜影响铝基复合材料润湿性的研究现状,讨论了铝基复合材料中氧化铝膜的破裂机制、氧化铝膜对体系接触角的影响规律及氧化铝膜对润湿动力学过程的影响。
3.
To acquire the substrate of high thermal conductivity, the technology for the growth of alumina film on aluminum substrates of high purity is investigated.
针对当前SMT中集成电路基板散热难的问题,结合热设计方法,系统地研究了热液条件下在高纯度铝基片上生长氧化铝膜的技术,并对制成的基片电性能及其温度特性、表面形貌做了详细的测试与分析。
4)  alumina membranes
氧化铝膜
1.
Photoluminescence behavior of porous alumina membranes was studied by annealing the membranes in air or in vacuum of about 1x10-3Pa at different temperatures.
用阳极氧化法在草酸溶液或硫酸溶液中制备了有序阵列孔洞的氧化铝膜。
5)  alumina film
氧化铝薄膜
1.
In order to find out internal relation between anodizing voltage and pore diameter of alumina film, (alumina) films with nano-pore structure were prepared by anodic oxidation of aluminum in 2~0_0H_3PO_4 at the anodizing voltage from 40 V to 150 V.
为了确定电解电压与氧化铝薄膜纳米孔孔径之间的内在关系,以200的磷酸为电解液,在40~150V的电解电压范围内,对铝基材实施阳极氧化制备了具有纳米孔结构氧化铝薄膜。
2.
Amorphous alumina films with thickness about 50nm are fabricated by reactive sputtering in Ar and O2 mixture.
用反应溅射方法制备了非晶氧化铝薄膜;以 Al/a-Al2O3/Al电容器为载体,研究了此种电容器的电容量,随样品放置时间的衰减过程及其影响因素,结论如下:(1)同一样品,高频下测得的电容随样品放置时间而变小的趋势相对于低频值要缓慢。
6)  aluminum oxide film
氧化铝薄膜
1.
Application of Pulsed Sputtering Technology in Aluminum Oxide Films Deposition;
脉冲溅射技术在氧化铝薄膜沉积中的应用
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