1) buried diffused layer
掩埋扩散层
2) burial layer
掩埋层
3) masked diffusion
掩膜扩散
4) diffusion mask
扩散掩模
5) masking-diffusion
掩蔽扩散
6) buried oxide
掩埋氧化层
1.
Experiments show that total dose radiation effect in buried oxide of SOI(Silicon on Insulator) MOS is obviously dependent on bias condition.
实验表明SOI MOSFET掩埋氧化层中的总剂量辐射效应与辐射过程中的偏置状态有关。
2.
And next,MEDICI simulation and a numerical model are utilized to simulate the electric field inside the buried oxide and fraction of hole capture,respectively.
随后分别用MEDICI模拟软件和数值模型模拟掩埋氧化层中的电场强度与空穴俘获率。
补充资料：扩散层
分子式：
CAS号：
性质：当电极通电时，参与电极过程的物种因扩散迟缓在电极界面近旁的浓度将发生变化。W. Nernst 1904年提出一种模型，即假定电极界面近旁存在着扩散层，其厚度为δd，在δd处的物种浓度即体相浓度，上述浓度变化与离电极表面的距离呈线性关系，扩散为稳态。这是一个极为简化的模型，但所得结果与实验符合较好，故简明的电化学理论常采用之。
CAS号：
性质：当电极通电时，参与电极过程的物种因扩散迟缓在电极界面近旁的浓度将发生变化。W. Nernst 1904年提出一种模型，即假定电极界面近旁存在着扩散层，其厚度为δd，在δd处的物种浓度即体相浓度，上述浓度变化与离电极表面的距离呈线性关系，扩散为稳态。这是一个极为简化的模型，但所得结果与实验符合较好，故简明的电化学理论常采用之。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条