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1)  phase-splitting circuit
相位溢出电路<电>
2)  extravasation electroplating
溢出电镀
1.
The process flow of thin photoresist second-time coating then photoetching after extravasation electroplating was introduced as follows: seed film electroplating with magnetron sputtering-photoresist coating-extravasation electroplating-photoresist second-time coating-further photoetching-electroplating.
介绍了溢出电镀二次涂覆薄层光刻胶再光刻的工艺流程:磁控溅射法电镀种子层-涂覆光刻胶-溢出电镀-光刻胶二次涂覆-再光刻-电镀。
3)  Overflow current
溢出电流
4)  Correlated Readout circuit
相关读出电路
5)  Phase compensation circuit
相位补偿电路
6)  phase control circuit
相位控制电路
补充资料:集成电路继电保护装置


集成电路继电保护装置
integrated-circuit relay protection equip-ment

正、负电源引出端。有的运算放大器还有调零和连接消除自激的补偿电容的端子. 等效电路图1(a)是运算放大器的等效电路。U、所在输人端叫做反相拾人端.U,所在箱人端叫做同相输人端。输人阻抗是一个电阻网络,有差模(信号加在两输人端子之间)和共模(信号同时加在两翰人端子和┌─┐│ │└─┘ 图1运算放大器的等效电路和墓本电路(a)等效电路;(b)负反馈反相放大器;(c)负反债同相放大祥;(d)负反馈差动放大器.(e)加法界;(f)积分界;(g)徽分异;(h)移相器;(i)多反馈环形澳波器;(j)半波整流电路;(k)交流波一方波变换器,(l)反 相褚入继电触发界;(m)同相抢入继电触发器开环工作的差动放大器,用来比较两个直流信号的大小,抽出正或负饱和电压.如果待比较电压中的一个是固定的今考电压,比较器就成为一个电平检测器. 在电平检洲器电路中加人正反该,就成为具有继电特性的触发器.图1(l)和图1(m)是两种输出正信号的继电触发器。图1(1),当e,E、时触发器翻转.两种电路的返回系数都小于1。 eMos门电路CMOS(。omplementary metaloxide semi一eonduetor),愈为互补型金属氧化物半导体。运用半导体工艺将一个N一MoS三极管和一个P-MOS三极管做在同一衬底上如图2(a),就是一个CMOS.图中的N一MOS管叫做驱动管,P一MOS管叫做负载管。当翰人为低电平时,N一MOS管截止P-MOS管导通,CMOS输出高电平;当输人为高电平时,N一MOS管导通P一MOS管截止,CMOS愉出低电平.当翰人为中间值时.两管都导通,输出电平由两管导通电阻的分压决定,一般是UDD的一半.如果输人信号只有O和1两个状态,则CMOS具有开关特性,而且是一个反相器.这两个电路中,第一个门作为开关.控侧电容的充电和放电,第二个门作为充电的电平检侧. 两个.的相位比较图3(a)是按方波重处原理工作的相位比较电路框图,图3(b)是波形图,由于使用了异或门,电路侧t的是方波不!亚时间.图3(b)中a、b是正弦一方波变换经整流后的物出信号,。为异或门3的翰出波形,当两翰人信号状态不同时翰出1信号,两翰人信号状态相同时输出零信号.c为l时,积分器4中电容开始充电,C为零时瞬时放电.图中表示两交流量的相角差甲足够大,4中电容充电超过动作值.d为积分器翰出,e为经展宽回路5展宽后获得的连续动作信号。在额定颇率为50H:的系统中,如规定积分器的动作时间为sms,则比相器的动作条件为2700)供)900.此电路在交流信号的一个周期内比相两次,故是全波比相。
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参考词条