补充资料：晶体生长中的位错传播

晶体生长中的位错传播
propagation of dislocations during crystal growth

晶体生长中的位错传播propagation of disloca-tions during crystal gTowth位错在晶体生长过程中的延伸。只要位错在生长界面露头，它就能随着生长界面的推移而延伸。 晶体生长中位错的产生晶体生长过程中产生的位错，有两种来源:①起源于籽晶(晶种)。籽晶中存在位错，生长时延伸到生长的晶体中。②在晶体生长过程中，由于多种原因引起弹性力或渗透力，促使位错成核或增殖。 弹性应力(包括热弹应力)的产生有多种原因，如:在非均匀温场生长系统中(如熔体生长)生长的晶体内存在有温度梯度(径向和轴向的);籽晶表面有损伤或引晶温度偏低，引起局部生长的晶体与籽晶的晶格失配;晶体与柑涡间的热膨胀差异，使晶体受到柑涡约束;晶体中组分不均匀引起的晶格畸变等。此外，长成晶体在冷却过程中，冷却速率愈大，在晶体中引起的热弹应力也愈大，甚至会导致晶体开裂。因此，晶体生长过程中，弹性应力是普遍存在的。在这些弹性应力作用下，通过应力集中非均匀成核产生位错，或通过位错增殖机制如夫兰克一里德源和交滑移等机制，使位错增殖。 晶体中各种类型的点缺陷(见晶体缺陷)，其平衡浓度主要决定于温度。温度下降，点缺陷的平衡浓度则按指数下降。如果晶体中没有足够的点缺陷尾间(sink)或是降温速度太快，或是点缺陷扩散激活能较大，不能及时扩散到尾间或晶体表面，它们就会在晶体内形成过饱和点缺陷。 过饱和点缺陷为异类溶质原子时，它们将趋于凝聚成为新相(脱溶沉淀);过饱和点缺陷若为自填隙原子或空位，它们或是趋于凝聚并崩塌形成位错环的核心，或是使晶体中的位错攀移。在过饱和固溶体中，引起脱溶沉淀、位错环成核以及促使位错攀移的驱动力称为渗透力。在渗透力作用下，通过均匀或非均匀成核形成位错。在渗透力场中有巴丁一赫林源和形成蜷线位错的增殖机制，使位错增殖。 晶体生长中位错的传播晶体生长过程中，位错的传播方向，由克拉拍定理决定。 克拉角定理定理表述如下:在生长界面上露头的伯格斯矢量为b的位错，由于伯格斯矢量守恒的要求，在新生长的晶体层形成过程中位错线必将延伸，其延伸方向(位错传播方向)是使在新生长晶体层中的位错线段的弹性能为极小;或者说位错向着使生长的晶体层的弹性能为极小的方向传播。 若位错的伯格斯矢量b的单位矢量为价，单位生长矢量为g，位错线沿传播方向的单位矢量为l，则在弹性系数为几各向异性弹性介质中，沿传播方向单位位错线极小的能量E为二(。。e。)一笙铃退}。1 21n斋(1)式中K为能量因子，r0和R为内、外截止半径。

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