补充资料：晶体生长界面处的温度边界层

晶体生长界面处的温度边界层
temperatureboundary layer at crystal growth interface

晶体生长界面处的温度边界层temperatureboundary layer at erystal growth interfaee生长界面前沿温度分布不均匀的流体层。 在具有温度梯度的生长系统中，晶体的生长界面一般是温度为生长温度T。的等温面，流体内的温度高于生长温度。流体中热量传输有两种机制:①由温度梯度存在产生的热扩散(热传导);②在重力场中温度不均匀引起自然对流，以及晶体或增涡旋转产生搅拌所引起的强迫对流的对流传输。精确求解运动流体对温度场的影响是复杂的。引入温度边界层概念，采用温度边界层近似，可以把热量传输的问题简化。在温度边界层厚度击内，热量传输只有热扩散;在边界之外，热传输机制是对流。由于对流的搅拌作用，在边界之外流体温度Tb是均匀的。在边界层内，近似地认为温度分布是线性的。其斜率就是生长界面处的温度梯度(见图)。T‘，(、》二二‘二二‘二‘‘二‘二二T。O占T 温度:芝介层实线是由严格的理论得到的，虚线是作了边界层近似后的温度分布曲线。根据边界层近似有关系式旦工}=鱼丈丝立dZ}二=o务用数值计算方法得到温度边界层厚度 务=1 .6 kl，3夕1，6山一孟12式中k为热扩散系数，。为流体运动粘滞系数，。是晶体旋转角速度。。愈大，则搅拌作用愈强，边界层厚度愈薄。(洪静芬)

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