补充资料：维格纳点阵

    　　1934年E.P.维格纳通过对电子气的计算表明，当电子密度十分低时，点阵状的分布比均匀分布具有更低的能量,所以预言在低温、低密度下可以出现电子晶体,而后人们常称这种晶体为维格纳晶体或维格纳点阵。
　　
　　1979年，C.C.格里姆斯等首先在极低温下的液氦表面吸附的单层电子中证实了维格纳晶体的存在。这些电子只限于在液氦的表面上自由运动，所以是一个理想的二维电子气模型，而且实验上也比较容易在较大范围内调节电子的密度。当密度调节到4.4×10⁸cm^-2左右,温度下降到0.457K时, 出现二维三角形维格纳点阵。施加磁场有利于这类维格纳点阵的形成。
　　
　　目前还没有找到三维维格纳点阵的实验证据，也还没有在有限温度下这种点阵一定会存在的严格证明。
　　

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