补充资料：半导体材料能带结构

半导体材料能带结构
energy band structure in semiconductor

　　…耀_…砖…__ 一狄拉却数的示意图?。一静止质量⑧纵向有效质量店轻空穴有效质量;⑤ 。一在导带与价带中电子的E与K的关系必一态横向有效质量;⑥重空穴有效质量。 密度D与E的关系;。一费米一狄拉克函数尸(E)[把p (E琦川目乘得到卿能量分瓶铡随线表示〕(施锦行) 别为轻空穴(mP)1和重空穴(mp)no砷化稼的导带极值 位于叉一。处，等能面为球面，有效质量为各向咸陕。 (图3) 4叮一一一一仄刁一7.-一-门盯，一下厂耳Z厂「一勺厂叶一，门万而气一一门 >{//丫、~洲尸111丫二云洲I下}下上既j才} 圳书z}牡至八{}}个}{凡l’l 0卜ee一一一花寻里筱刃一一一一一「，一Z了侨入}}z要更找入l 一厂，-r xLrx乙 一一<1ll>一一<1ll>一一 波矢k 图3锗、硅和砷化稼在不同晶向　　

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