1) arithmetic trap mask
算术俘获屏蔽
2) arithmetic trap
算术俘获
3) arithmetic trap mask
算术自陷屏蔽
4) shielding calculation
屏蔽计算
1.
Because of its large volume and complex structure,its shielding calculation is difficult.
高温气冷堆是第4代核能系统的重要堆型之一,由于其堆芯体积庞大、几何结构复杂,屏蔽计算难度较大。
5) shielding technology
屏蔽技术
1.
Computer controlled shielding technology of pipe welding robot;
计算机控制管道焊接机器人屏蔽技术
2.
Based on TFT-LCD’s structural designs and circuit designs, we can use principles of shielding technology and filtering technology to control EMI.
对引起TFT-LCD电磁环境恶化的原因、干扰源的种类进行了探索,提出了一些有效的电磁兼容设计方法,即从结构设计和电路设计出发,运用屏蔽技术和滤波技术的原理来控制电磁干扰。
6) shield technology
屏蔽技术
1.
Application of electromagnetic shield technology on electronic equipment;
电磁屏蔽技术在机车电子装置上的应用
2.
In this paper,according to the theory of shield technology,the electromagnetic performance of common shielding materials was analyzed,and the shielding efficiencies of iron and tin were analyzed and calculated.
本文中根据屏蔽技术理论分析了常用屏蔽材料的电磁性能特性 ,经对金属铁和锡的屏蔽效能的分析计算 ,选择了对电磁波具有良好反射损耗性能的金属锡薄膜和具有高吸收损耗特性的金属铁 ,制做了铁镀锡薄膜屏蔽机箱以进行屏蔽试验 ,试验在广州市国家日用电器检测所EMC认证中心的微波暗室进行 。
3.
This paper mainly introduces the measurement method of inductor,capacitor and AC resistor and shield technology in measuremen
不同阻抗连接方法不同 ,其测量方法也不同 ,本文主要介绍了电感器、电容器和交流电阻器的测量方法及屏蔽技术在测量中的应用。
补充资料：电子俘获
一般分成两类。一类是原子或离子通过媒质时获得电子的机制。这是原子和离子在媒质中损失动能并减速的重要原因，从而影响入射的原子和离子在媒质中的射程。当入射的带电粒子的速度和媒质中电子的速度具有相同量级时，发生电子俘获的几率较大，因此在粒子射程的末端，电子俘获的发生较为频繁。对于带有大量正电荷的裂变碎片，则在它整个减速过程中都有电子俘获发生。中性的氢原子通过轻元素组成的媒质时，单位距离路程的能量损失约为质子在同样情形下能量损失的一半。
另一类是电子被原子核俘获，称为电子的核俘获或K俘获。K俘获是原子核从最靠近它的 K电子壳层俘获一个电子而转变为核电荷数比原来的值小 1的新核的机制，此过程中,核还要发射一个中微子。K俘获是β衰变的逆过程。发生K俘获的几率与K壳层电子处于核附近的寿命有关，核电荷数Z值较大的核,电子波函数在核中心区的值也较大，因而发生K俘获的几率也比轻核大。K俘获是电子的场与核场间相互作用的结果。
还可能发生一种二阶过程，即原子K壳层的s电子被核俘获的同时,伴随着L壳层一个p电子跃迁到K壳层而产生γ跃迁。
另一类是电子被原子核俘获，称为电子的核俘获或K俘获。K俘获是原子核从最靠近它的 K电子壳层俘获一个电子而转变为核电荷数比原来的值小 1的新核的机制，此过程中,核还要发射一个中微子。K俘获是β衰变的逆过程。发生K俘获的几率与K壳层电子处于核附近的寿命有关，核电荷数Z值较大的核,电子波函数在核中心区的值也较大，因而发生K俘获的几率也比轻核大。K俘获是电子的场与核场间相互作用的结果。
还可能发生一种二阶过程，即原子K壳层的s电子被核俘获的同时,伴随着L壳层一个p电子跃迁到K壳层而产生γ跃迁。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条