1) fail store mode
失效存储态
2) out of memory
存储器失效
3) fail memory
失效存储器
4) volatile dynamic storage
易失动态存储器
5) volatile dynamic storage
易失性动态存储器
6) storage loss
储存损失
补充资料：非晶态半导体存储器
| 非晶态半导体存储器 amorphous semiconductor memory 利用外界条件如电、热、压力、光等，使非晶态薄膜的结构发生变化，用以记录和存储信息的器件。主要有电存储器和光存储器两大类，前者利用非晶态半导体在电学性质上存在的双稳态特性质，即利用不同的电脉冲信号使其保持高阻状态（关态）和低阻状态（开态）工作。后者利用光辐照使非晶态半导体中的光斑处发生结构变化（一般为非晶态与晶态之间的变化），以记录光信息。它具有光的双稳态性质。非晶态半导体存储器具有信息可长期保持而无功耗，抗高能粒子辐照等特点，可用作高密度，高信噪比的信息记录介质，例如光盘等。 |
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参考词条