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1)  incident dose
入射量
2)  incident energy
入射能量
1.
The relations among energy exponent,incident energy and real efficient secondary electron emission coefficient at higher incident electron energy
较高能有效真二次电子发射系数与入射能量、能量幂次的关系
2.
It reveals that the incident energy level and the variances of signal characteristics are the two main factors affecting the voltage level of signal pulses.
针对基于窗口调制和比色测温技术的热喷涂粒子参数测量系统,从理论上分析了瞄准距离变化对脉冲信号强度的影响,发现入射能量水平和信号特征的变化是影响实测脉冲信号强度的主要因素,二者的影响作用在小于理想瞄准距离时相反从而在一定程度上相互抵消,在大于理想瞄准距离时相同从而叠加,使得实测脉冲信号强度随瞄准距离的变化呈现不对称倒V形变化规律。
3.
The results show that the diffusion distance rises with the increase of incident energy above a certain temperature and under a certain deposition rate,and is hardly affected by the energy size of deposition particles at higher temperature and lower deposition rate.
在考虑沉积原子入射能量影响的基础上,建立了 Si(100)-(2×1)表面上 Si 薄膜生长的动力学蒙特卡罗模型,并对薄膜生长的初期过程进行了研究。
3)  incident dose
入射剂量
4)  incident flux
入射通量
5)  incident flux
入射流入射通量
6)  incident parameter
入射光参量
补充资料:掠角入射式装置
分子式:
CAS号:

性质:一种凹面光栅装置。狭缝、凹面光栅和出射狭缝(或暗盒)均置于罗兰圆(Rolland circle)上,入射角大于80°时,入射光线便掠入光栅,可以达到全反射。其特点是色散率大、体积小、结构紧凑,但像散严重。利用这种装置可得到从真空紫外区到近紫外区的光谱。

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参考词条