1) planar devices
平面型器件
2) planar waveguide devices
平面型波导器件
3) Slab Device
平面器件
1.
Reflectivity and Transmissivity s Errors Caused by Surface s Interference of a Slab Device and the Method of Eliminating these Error;
平面器件表面干涉效应所引起的反、透射率计算误差及消除方法
4) planar power electronic devices
平面型电力电子器件
1.
The blocking capability of planar power electronic devices is analyzed using junction termination structure with field limiting ring and the P +I(N -)N + structure of supporting bulk breakdown voltage.
利用场限环终端结构及 P+I( N- ) N+体耐压结构分析了平面型电力电子器件的阻断能力。
5) planar phot oelastic optoelectronic devices
平面型光弹光电子器件
6) planar module
平面型组件
补充资料：平面型铁氧体
分子式：
CAS号：
性质：超高频范围内使用的一类软磁铁氧体。具有磁铅石型结构。其化学式为BaMFe16O27，BaMFe12O22，BsMFe24O41，可分别简写为MW，MY，MZ（M为钴、锌、镍、锰、镁等二价金属离子或他们的混合物）。他们的特点是在高频磁场作用下，平面偏振的电磁波在铁氧中按一定方向传播时，偏振面会不断绕传播方向旋转，即易磁化轴在偏振平面上，截止频率较高。饱和磁化强度Ms0.16～0.339T。用这类铁氧体已制成频率高达2GHz以上、磁导率与品质因数的乘积，μQ值超过100的产品。主要用于扫频磁芯、电调电感器、宽频变压器等。
CAS号：
性质：超高频范围内使用的一类软磁铁氧体。具有磁铅石型结构。其化学式为BaMFe16O27，BaMFe12O22，BsMFe24O41，可分别简写为MW，MY，MZ（M为钴、锌、镍、锰、镁等二价金属离子或他们的混合物）。他们的特点是在高频磁场作用下，平面偏振的电磁波在铁氧中按一定方向传播时，偏振面会不断绕传播方向旋转，即易磁化轴在偏振平面上，截止频率较高。饱和磁化强度Ms0.16～0.339T。用这类铁氧体已制成频率高达2GHz以上、磁导率与品质因数的乘积，μQ值超过100的产品。主要用于扫频磁芯、电调电感器、宽频变压器等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条