1) ideal focusing magnetic field boundary
理想聚焦磁场边界
2) ideal focusing field
理想聚焦场
3) focusing magnetic field
聚焦磁场
1.
With this modified vacuum arc d eposition apparatus, the effects of the focusing magnetic field on the cathodic arc discharge and the plasma transport are studied.
在此情况下对聚焦磁场对MEVVA源阳极 阴极以及磁过滤管道 阴极 2个回路弧放电和磁过滤管道传输效率的影响进行了实验研究 。
4) focused magnetic field
磁场聚焦
1.
The second is the design and realization of the array for focused magnetic field technology.
磁场聚焦阵列的设计与实现。
5) ideal focusing
理想聚焦
6) Ideal boundary
理想边界
1.
An ideal boundary, which stands for the limit condition of real feature under meeting design demands, can be formed by suitable dimensional and geometrical tolerances.
理想边界是由尺寸公差和形位公差综合形成的 ,它代表实际要素在满足设计要求条件下的极限状态 。
2.
On ideal boundary condition, a necessary and sufficient condition for conformal equivalence of an open Riemman surface and its smooth covering surface are given in this paper.
给出了理想边界条件下开Ｒｉｅｍｍａｎ曲面与其光滑覆盖曲面为共形同胚映照的充要条件，并将其推广应用。
补充资料：电磁场的边界条件
电磁场在两种不同媒质分界面上，从一侧过渡到另一侧时，场矢量E、D、B、H一般都有一个跃变。电磁场的边界条件就是指场矢量的这种跃变所遵从的条件，也就是两侧切向分量之间以及法向分量之间的关系。在某些电动力学或电磁场理论的书中，为了与另一种边界条件（在区域的表面上给定的有关场矢量的边值）相区别，将本条所解释的电磁场边界条件称为电磁场的边值关系。
电磁场的边界条件可以由麦克斯韦方程组的积分形式推出，它实际上是积分形式的极限结果。这些边界条件是n·(D1-D2)=ρs； (1)
n×(E1-E2)=0； (2)
n·(B1-B2)=0； (3)
n×(H1-H2)=J)s。 (4)
式中n为两媒质分界面法线方向的单位矢量，场矢量E、D、B、H的下标1或2分别表示在媒质1或2内紧靠分界面的场矢量,ρs为分界面上的自由电荷面密度,Js为分界面上的传导电流面密度。式(1)表示在分界面两侧电位移矢量D的法向分量的差等于分界面上的自由电荷面密度。当分界面上无自由电荷时，两侧电位移矢量的法向分量相等,即其法向分量是连续的。式(2)表示在分界面两侧电场强度E的切向分量是连续的。式(3)表示在分界面两侧磁通密度B的法向分量是连续的。式(4)表示在分界面两侧磁场强度H的切向分量的差等于分界面上的表面传导电流面密度。当分界面上无表面传导电流时，两侧磁场强度的切向分量相等，即其切向分量是连续的。
当媒质2为理想导体时，E2、D2、B2、H2等于零，式(1)表示D1的法向分量等于自由电荷面密度；式(2)表示E1无切向分量式(3)表示B1的法向分量为零；式(4)表示H1的切向分量等于表面传导电流面密度,并且与电流方向正交。
电磁场的边界条件可以由麦克斯韦方程组的积分形式推出，它实际上是积分形式的极限结果。这些边界条件是n·(D1-D2)=ρs； (1)
n×(E1-E2)=0； (2)
n·(B1-B2)=0； (3)
n×(H1-H2)=J)s。 (4)
式中n为两媒质分界面法线方向的单位矢量，场矢量E、D、B、H的下标1或2分别表示在媒质1或2内紧靠分界面的场矢量,ρs为分界面上的自由电荷面密度,Js为分界面上的传导电流面密度。式(1)表示在分界面两侧电位移矢量D的法向分量的差等于分界面上的自由电荷面密度。当分界面上无自由电荷时，两侧电位移矢量的法向分量相等,即其法向分量是连续的。式(2)表示在分界面两侧电场强度E的切向分量是连续的。式(3)表示在分界面两侧磁通密度B的法向分量是连续的。式(4)表示在分界面两侧磁场强度H的切向分量的差等于分界面上的表面传导电流面密度。当分界面上无表面传导电流时，两侧磁场强度的切向分量相等，即其切向分量是连续的。
当媒质2为理想导体时，E2、D2、B2、H2等于零，式(1)表示D1的法向分量等于自由电荷面密度；式(2)表示E1无切向分量式(3)表示B1的法向分量为零；式(4)表示H1的切向分量等于表面传导电流面密度,并且与电流方向正交。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条