冷阴极电子管,cold cathode tube,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) cold cathode tube

冷阴极电子管

2) cold cathode

冷阴极

Research development of carbon nanotube cold cathode material for field emission;

碳纳米管场发射冷阴极材料的研究进展

Magnetic circuit of a cold cathode PIG ion source;

冷阴极潘宁离子源的磁路研究

Study on field enhancement of a normal-gated field emission nanowire cold cathode;

带栅极纳米线冷阴极的场增强因子研究

3) CCFL

冷阴极管

Recent Trends in CCFL for Large Area LCD-TV;

大尺寸LCD-TV用冷阴极管的最新技术动向

In this paper, the operational principles and characters of the piezoelectric transformer (PT) and the cold cathode fluorescent lamp (CCFL) are analyzed first, then several key problems in the PT-based CCFL driver design process are solved, i.

本文首先分析了压电变压器(PT)及冷阴极管(CCFL)的工作原理及特性,在此之后,针对基于PT的CCFL驱动器设计过程所牵涉的几个主要问题,即如何设计PT的驱动电路,如何选择PT的输入匹配网络,如何协调驱动器的整体效率同控制方式之间的关系,本文均给出了理论分析。

4) cold cathode materials

冷阴极材料

Carbon nanotubes(CNTs) have been thought as one of the most promising cold cathode materials of electron field emitters in field emission display(FED).

在场发射显示器技术领域,碳纳米管被认为是目前最有前途的场发射冷阴极材料之一。

Cold cathode is applied as the important component in the crossed-field amplifier (CFA) and has critical requirements for cold cathode materials.

冷阴极作为微波放大管的核心组件,它对冷阴极材料有着严格的技术要求。

5) cold cathode arc

冷阴极电弧

6) cold cathode device

冷阴极器件

The influences of some parameters of a gate field emission nanowire cold cathode device on the electric field of nanowire top are studied in this paper.

利用静电场理论,对带栅极纳米线场发射冷阴极器件模型进行电场计算,在此基础上,进一步对器件几何参数以及电压对纳米线顶端表面电场的影响做了理论分析。

参考词条

冷阴极场发射直流冷阴极效电冷阴极电弧源冷阴极离子源冷阴极荧光管冷阴极电离规铁电冷阴极材料冷阴极电子源碳纳米管冷阴极 CCFL（冷阴极荧光管）冷阴极触发管冷阴极撬棒管场发射冷阴极多孔硅冷阴极秦皇岛海域神经网络组合

补充资料：阴极电子发射

阴极电子发射
electron emission from cathode

电子发射。在外加强电场的作用下，阴极中部分电子“穿过”势垒而从表面发射出来。按照量子力学的理论，处于位阱中的电子，即使它的能量不超过势垒的势能，也有一定的概率穿过势垒而跑掉，这就是所谓的“隧道效应气在强电场的作用下，势垒的形状变窄变低，电子就容易穿过势垒而从表面发射出来。对于一定的金属，其场致发射电流密度可根据波动力学，用福勒一诺得海姆(Fowler一Nordheim)公式进行计算。在气体放电过程中，如果在电极表面有氧化物绝缘薄层，正离子会积聚在其上，可形成高达10日V/m的强电场，引起场致发射，这种现象称为马尔特(Malter)效应。二次电子发射由正离子、受激励的中性原子和分子轰击阴极表面而引起的电子发射。正离子从阴极轰击出电子，必须由一个正离子至少打出两个电子，其中一个用于中和正电荷，另一个为自由电子。因此，正离子所具有的动能Wk和势能wp之和应大于逸出功时的2倍，即 Wk+Wp妻Ze笋正离子轰击阴极表面是主要的立次电子发射机制。中性粒子的轰击对二次电子发射的作用较小。y旧J!d lonzz foshe阴极电子发射(eleetron emission from Cat-hode)阴极发射电子的过程。在气体放电中阴极起着重要作用，它提供电子，维持了电流的循环。在金属阴极中，电子可以自由运动。但在阴极表面，由于电子和晶格离子之间静电力的作用形成势垒，使电子不能离开电极表面。为了克服表面势垒的阻碍，把电子移到阴极之外，需要施加逸出功(或称为功函数)时。逸出功决定于阴极的材料和表面状态。给电子提供能量，把电子从阴极中释放出来的方式有光电发射、热发射、场致发射、二次电子发射等。光电发射波长足够短的电磁辐射人射到阴极表面而引起的阴极电子发射。光电发射的条件为加一h。/几妻助式中h为普朗克常数;岁为光频率;‘为光速;义为光波波长;‘必为逸出功，eV。对应于逸出功时的入射光的临界波长凡为凡一hc/e笋一1240。/e必人对于大多数的纯金属，凡落在紫外光谱区域，其光电发射系数(一个人射光子产生的光电子数)约在1『3一10一‘的范围。光电器件就利用了光电发射效应。在光电器件的阴极表面涂上一层氧化物或合金，使凡落在可见光区甚至红外区，其光电发射系数也大大增加。热发射由于温度升高而引起的阴极表面电子发射。在室温下，只有极少数的电子，它的能量超过金属表面势垒，可从阴极表面离开。当把阴极加热到1500一2500K时，将有一部分电子具有足够的能量，穿过势垒而从表面发射出来。在真空中，表面热发射的饱和电流密度]s用里查得逊(Richardson)公式表示 ]s~ATZexp(一。笋/kT)A/mZ式中k为玻耳兹曼常数;A为取决于材料种类的常数，如钨的八值为7.0只lo5A/(mZ·kZ);e笋为4·seV。在温度T=2500K时，少。=3.SXlo3A/mZ。场致发射由于外加强电场而引起的阴极表面

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1) cold cathode tube 冷阴极电子管 2) cold cathode 冷阴极 1. Research development of carbon nanotube cold cathode material for field emission; 碳纳米管场发射冷阴极材料的研究进展 2. Magnetic circuit of a cold cathode PIG ion source; 冷阴极潘宁离子源的磁路研究 3. Study on field enhancement of a normal-gated field emission nanowire cold cathode; 带栅极纳米线冷阴极的场增强因子研究 3) CCFL 冷阴极管 1. Recent Trends in CCFL for Large Area LCD-TV; 大尺寸LCD-TV用冷阴极管的最新技术动向 2. In this paper, the operational principles and characters of the piezoelectric transformer (PT) and the cold cathode fluorescent lamp (CCFL) are analyzed first, then several key problems in the PT-based CCFL driver design process are solved, i. 本文首先分析了压电变压器(PT)及冷阴极管(CCFL)的工作原理及特性,在此之后,针对基于PT的CCFL驱动器设计过程所牵涉的几个主要问题,即如何设计PT的驱动电路,如何选择PT的输入匹配网络,如何协调驱动器的整体效率同控制方式之间的关系,本文均给出了理论分析。 4) cold cathode materials 冷阴极材料 1. Carbon nanotubes(CNTs) have been thought as one of the most promising cold cathode materials of electron field emitters in field emission display(FED). 在场发射显示器技术领域,碳纳米管被认为是目前最有前途的场发射冷阴极材料之一。 2. Cold cathode is applied as the important component in the crossed-field amplifier (CFA) and has critical requirements for cold cathode materials. 冷阴极作为微波放大管的核心组件,它对冷阴极材料有着严格的技术要求。 5) cold cathode arc 冷阴极电弧 6) cold cathode device 冷阴极器件 1. The influences of some parameters of a gate field emission nanowire cold cathode device on the electric field of nanowire top are studied in this paper. 利用静电场理论,对带栅极纳米线场发射冷阴极器件模型进行电场计算,在此基础上,进一步对器件几何参数以及电压对纳米线顶端表面电场的影响做了理论分析。参考词条冷阴极场发射直流冷阴极效电冷阴极电弧源冷阴极离子源冷阴极荧光管冷阴极电离规铁电冷阴极材料冷阴极电子源碳纳米管冷阴极 CCFL（冷阴极荧光管）冷阴极触发管冷阴极撬棒管场发射冷阴极多孔硅冷阴极秦皇岛海域神经网络组合补充资料：阴极电子发射阴极电子发射 electron emission from cathode 电子发射。在外加强电场的作用下，阴极中部分电子“穿过”势垒而从表面发射出来。按照量子力学的理论，处于位阱中的电子，即使它的能量不超过势垒的势能，也有一定的概率穿过势垒而跑掉，这就是所谓的“隧道效应气在强电场的作用下，势垒的形状变窄变低，电子就容易穿过势垒而从表面发射出来。对于一定的金属，其场致发射电流密度可根据波动力学，用福勒一诺得海姆(Fowler一Nordheim)公式进行计算。在气体放电过程中，如果在电极表面有氧化物绝缘薄层，正离子会积聚在其上，可形成高达10日V/m的强电场，引起场致发射，这种现象称为马尔特(Malter)效应。二次电子发射由正离子、受激励的中性原子和分子轰击阴极表面而引起的电子发射。正离子从阴极轰击出电子，必须由一个正离子至少打出两个电子，其中一个用于中和正电荷，另一个为自由电子。因此，正离子所具有的动能Wk和势能wp之和应大于逸出功时的2倍，即 Wk+Wp妻Ze笋正离子轰击阴极表面是主要的立次电子发射机制。中性粒子的轰击对二次电子发射的作用较小。y旧J!d lonzz foshe阴极电子发射(eleetron emission from Cat-hode)阴极发射电子的过程。在气体放电中阴极起着重要作用，它提供电子，维持了电流的循环。在金属阴极中，电子可以自由运动。但在阴极表面，由于电子和晶格离子之间静电力的作用形成势垒，使电子不能离开电极表面。为了克服表面势垒的阻碍，把电子移到阴极之外，需要施加逸出功(或称为功函数)时。逸出功决定于阴极的材料和表面状态。给电子提供能量，把电子从阴极中释放出来的方式有光电发射、热发射、场致发射、二次电子发射等。光电发射波长足够短的电磁辐射人射到阴极表面而引起的阴极电子发射。光电发射的条件为加一h。/几妻助式中h为普朗克常数;岁为光频率;‘为光速;义为光波波长;‘必为逸出功，eV。对应于逸出功时的入射光的临界波长凡为凡一hc/e笋一1240。/e必人对于大多数的纯金属，凡落在紫外光谱区域，其光电发射系数(一个人射光子产生的光电子数)约在1『3一10一‘的范围。光电器件就利用了光电发射效应。在光电器件的阴极表面涂上一层氧化物或合金，使凡落在可见光区甚至红外区，其光电发射系数也大大增加。热发射由于温度升高而引起的阴极表面电子发射。在室温下，只有极少数的电子，它的能量超过金属表面势垒，可从阴极表面离开。当把阴极加热到1500一2500K时，将有一部分电子具有足够的能量，穿过势垒而从表面发射出来。在真空中，表面热发射的饱和电流密度]s用里查得逊(Richardson)公式表示 ]s~ATZexp(一。笋/kT)A/mZ式中k为玻耳兹曼常数;A为取决于材料种类的常数，如钨的八值为7.0只lo5A/(mZ·kZ);e笋为4·seV。在温度T=2500K时，少。=3.SXlo3A/mZ。场致发射由于外加强电场而引起的阴极表面说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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