1) deformable magnetic material with memory
可变形磁性记忆材料
2) deformable dielectric material with memory
可变形电介质记忆材料
3) shape memory magnetic material
形状记忆磁性材料
1.
New progress of metallic magnetic functional materials in 2000~2001 is reviewd It include:(1)rare earth permanent magnetic materials with high properties;(2)Si Fe alloys with high properties;(3)new Fe N magnetic material system;(4)magneto electronics;(5)shape memory magnetic material
综述了金属磁性功能材料在 2 0 0 0~ 2 0 0 1年间的若干新进展 ,内容包括 :(1)高性能稀土永磁合金 ;(2 )高性能硅钢合金 ;(3)Fe N系新磁性材料 ;(4)磁电子学 ;(5 )形状记忆磁性材料。
4) magnetic shape memory materials
磁性形状记忆材料
5) magnetic shape memory material
磁形状记忆材料
6) Magnetic memory material
磁记忆材料
补充资料:磁性材料2.薄膜磁性材料
磁性材料2.薄膜磁性材料
Magnetie Materials 2.Thin Film
在一定外加磁场作用下,其反磁化畴(磁矩取向与外磁场方向相反的畴)变为圆柱形磁畴。从膜面上看,这些柱形畴好像浮着的一群圆泡,故称磁泡或叫泡踌(另见磁性材料2.昨晶态磁性材料)。在特定的电路图形、电流方向和一定磁场情况下,可做到控制材料中磁泡的产生、传翰和消失,实现信息的储存和逻辑运算的功能。磁泡的直径在微米量级(0 .5~5协m),每个磁泡的迁移率在1 .26~12.6em八s·A/m)〔 102一i03cm八s·oe)〕,因而可制成存储密度为兆位/cmZ(Mbit/cmZ)和数据处理速率为兆位/s(M肠t/s)的运算器件。磁泡器件经过近20年研究和开发,已取得广泛的实际应用。 对磁泡材料的主要要求是:(l)各向异性常数凡>粤斌,磁化强度从>外磁场强度H;(2)杂质缺陷小,2一~”~’.J泌~-一‘产’~~一~一’、~尹一~~~’J”均匀性好。目前研究得比较清楚的有铁氧体单晶薄膜和稀土一过渡金属薄膜。从制备工艺和性能稳定、器件开发等情况看,以铁氧体磁泡材料比较成熟,早期是用钙钦石型铁氧体单晶片来作磁泡材料,后为YIG单晶薄膜所取代。它是用液相外延法在Gd3Ga5OI:(简称GGO)基片上生成的单晶薄膜,其厚为微米量级。表4为稀土石榴石R3FesolZ的磁性;表5为一些磁泡材料的基本特性数值。农4稀土石抽石R.Fe‘ol,的磁性┌───────────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬────┬─────┬────┬────┐│R │Y │Sm │EU │Gd │Tb │Dy │、Ho │Er │T】11 │Yb │Lu │├───────────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼────┼─────┼────┼────┤│补偿温度,~p,K │ 560 │ 560 │ 570 │ 290 │ 246 │ 220 │ 136 │ 84│4
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条